LH1520AB是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、逆變器以及其他需要高效率功率�(zhuǎn)換的場景。該器件采用先進的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)性能�
LH1520AB屬于N溝道增強型場效應(yīng)晶體�,其�(shè)計著重優(yōu)化了漏源極電壓耐受能力和連續(xù)電流承載能力,從而適�(yīng)嚴苛的工作環(huán)境�
最大漏源極電壓�60V
最大柵源極電壓:�20V
連續(xù)漏極電流�80A
�(dǎo)通電阻:3mΩ
柵極電荷�120nC
開關(guān)時間:開啟時� 40ns,關(guān)閉時� 20ns
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
LH1520AB具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,可顯著降低傳導(dǎo)損��
2. 快速的開關(guān)速度,適合高頻應(yīng)用場��
3. 高電流處理能力,支持大功率負��
4. 強化的熱�(wěn)定�,能夠在高溫�(huán)境下長期可靠運行�
5. �(nèi)置ESD保護電路,提升了整體的抗靜電能力�
6. 小尺寸封�,便于緊湊型�(shè)計布局�
LH1520AB適用于多種領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主功率開�(guān)�
2. 電動工具及家用電器中的電機控制�
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切��
4. 新能源領(lǐng)域如太陽能逆變器和電動汽車牽引逆變器�
5. 各類高效能DC-DC�(zhuǎn)換模��
LH1520AD, IRFZ44N, FDP55N06L