LFD181G58DPGC202 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動和工業(yè)控制等領(lǐng)域。它采用先進的制造工�,具備高耐壓、低�(dǎo)通電阻以及快速開�(guān)速度的特�。該型號屬于 N 溝道增強型場效應(yīng)晶體管,能夠有效提升電路效率并降低能��
最大漏源電壓:650V
最大連續(xù)漏電流:18A
�(dǎo)通電阻(典型值)�0.05Ω
柵極電荷�35nC
總電容(輸入電容):1200pF
功耗:300W
工作溫度范圍�-55� � 150�
LFD181G58DPGC202 的主要特性包括以下幾點:
1. 高擊穿電�,可承受高達 650V 的漏源電�,適用于高壓�(huán)��
2. 極低的導(dǎo)通電�,僅� 0.05Ω(典型值),從而減少了傳導(dǎo)損��
3. 快速開�(guān)性能,具有較低的柵極電荷和輸出電�,適合高頻應(yīng)用�
4. 強大的散熱能�,能夠支持較高的功率處理需��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
6. 提供出色的雪崩能量能�,增強了器件在異常條件下的魯棒性�
該芯片適用于多種�(yīng)用場�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)設(shè)計中的主開關(guān)��
2. 逆變器和變頻器中的功率級元件�
3. 工業(yè)電機�(qū)動和伺服控制系統(tǒng)�
4. 太陽能微逆變器和 DC-DC �(zhuǎn)換器�
5. LED 照明系統(tǒng)的恒流驅(qū)動電路�
6. 各類保護電路,如過流保護和短路保護模塊�
LFD181G58DPCG201, IRF840, STP18NF55