LGT67F-R2-3-K3-20是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于高效率開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器等場景。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)性能�
其封裝形式為TO-220,具有良好的散熱性能,適合在高溫�(huán)境下使用。此外,該器件支持大電流操作,并且具備優(yōu)異的電氣特性和�(wěn)定��
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�15A
�(dǎo)通電阻:0.18Ω
柵極電荷�45nC
總功耗:160W
工作溫度范圍�-55� to 150�
1. 極低的導(dǎo)通電阻確保了更低的傳�(dǎo)損耗,從而提高整體能��
2. 快速開�(guān)速度,可有效減少開關(guān)損�,適用于高頻�(yīng)用�
3. 高擊穿電壓設(shè)�(jì),增�(qiáng)了器件的可靠性和抗干擾能��
4. 支持高電流輸�,適�(yīng)多種功率�(zhuǎn)換場��
5. 封裝具有�(yōu)良的熱傳�(dǎo)性,確保長時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)��
6. 工作溫度范圍寬廣,適合惡劣環(huán)境下的使用需��
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 直流-直流�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制
4. 光伏逆變�
5. 電池管理系統(tǒng)
6. 汽車電子中的�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路
LGT67F-R2-3-K5-20, IRFZ44N, FDP55N50