LGE2111C是一種高性能的功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET�,主要用于開�(guān)和放大應(yīng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,適用于各種電源管理和電�(jī)�(qū)動場景�
該型號屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,適合在高頻和高效能的應(yīng)用中使用,如DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變�、負(fù)載開�(guān)以及電機(jī)控制等�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�40A
�(dǎo)通電阻:3.5mΩ
總功耗:180W
工作溫度范圍�-55℃至175�
柵極電荷�45nC
反向恢復(fù)時間�35ns
LGE2111C具備以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,可顯著降低功率損耗,提升整體效率�
2. 快速開�(guān)能力,適合高頻操作環(huán)��
3. 高電流承載能�,能夠支持大功率�(yīng)��
4. 出色的熱�(wěn)定�,確保長時間�(yùn)行下的可靠性�
5. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,提高器件的耐用��
6. 小型封裝�(shè)�,便于電路板布局�(yōu)��
這些特點(diǎn)使得LGE2111C成為眾多工業(yè)及消�(fèi)類電子產(chǎn)品的理想選擇�
LGE2111C廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率元��
3. 各類電機(jī)�(qū)動控制器�
4. 汽車電子系統(tǒng),例如電池管理系�(tǒng)和車身控制模塊�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
6. 可再生能源解決方案,如太陽能逆變��
其強(qiáng)大的性能和適�(yīng)性使其成為多種復(fù)雜電力轉(zhuǎn)換和控制場景的關(guān)鍵組��
LGE2112C, IRFZ44N, FDP55N06L