LDAN222T1G 是一款由 ON Semiconductor 提供� N 溝道增強� MOSFET 功率晶體�,采� TO-263 封裝。該器件適用于高效率功率轉換和開關應�,廣泛用于電�、電機驅動、負載切換以及電池管理等領域�
其出色的 Rds(on) 特性和較低的柵極電荷使其成為高頻開關應用的理想選擇。同�,它具備較高的電流處理能力和耐壓能力,確保在苛刻的工作條件下依然�(wěn)定運行�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�47A
導通電阻(Rds(on)):4.5mΩ
柵極電荷�28nC
工作結溫范圍�-55� � 175�
封裝類型:TO-263
LDAN222T1G 具有以下主要特性:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),能夠顯著降低傳導損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高額定電流能� (47A),適合大功率應用�
3. �(yōu)化的柵極電荷設計,支持高頻開關操��
4. 寬泛的工作溫度范� (-55� � 175�),適應各種環(huán)境條��
5. �(wěn)定的電氣性能和可靠性,適用于嚴苛工�(yè)及汽車環(huán)��
6. 符合 RoHS 標準,滿足環(huán)保要��
LDAN222T1G 的典型應用包括:
1. 開關模式電源 (SMPS) � DC-DC 轉換器�
2. 工業(yè)和消費類電機驅動��
3. 大功率負載切換電��
4. 電池保護與管理系�(tǒng)�
5. 逆變器和 UPS 系統(tǒng)中的功率級開關�
6. 汽車電子控制單元 (ECU) 和電動助力轉向系�(tǒng) (EPS) 中的功率開關�
IRFZ44N
STP55NF06L
FDP55N06L