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NDT3055L 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/5/27 14:25:47 查看 閱讀�343

NDT3055L是一種常見的功率MOSFET(金�-氧化�-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)器件,具有高電流和低�(dǎo)通電阻特�。它被廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、開�(guān)電源、逆變器等�(lǐng)��
  NDT3055L是一種N溝道MOSFET器件,由ON Semiconductor公司生產(chǎn)。它采用了先�(jìn)的DMOS(雙金屬氧化物半�(dǎo)體)工藝,具有低�(dǎo)通電阻和高電流承載能力。NDT3055L的額定電壓一般為60V,額定電流為12A。它采用了TO-220封裝,可以方便地安裝在散熱器上,以提高散熱效��
  NDT3055L是一種N溝道MOSFET,它由源�、漏極和柵極組成。柵極上的電壓可以控制源漏電流的大小,從而實(shí)�(xiàn)�(duì)MOSFET的開�(guān)控制。當(dāng)柵極與源極之間施加正向電壓時(shí),MOSFET�(dǎo)�,源漏電流增大;�(dāng)柵極與源極之間施加負(fù)向電壓時(shí),MOSFET截止,源漏電流幾乎為��
  MOSFET的開�(guān)速度�?�?,可以在納秒�(jí)別內(nèi)完成開關(guān)操作。這使得NDT3055L在高頻應(yīng)用中具有較好的性能。此�,NDT3055L還具有低�(dǎo)通電�,可以實(shí)�(xiàn)較低的功耗和高效率的功率�(zhuǎn)��

基本�(jié)�(gòu)

源極(Source):MOSFET的電流輸入端,通常與負(fù)極(地)連接�
  漏極(Drain):MOSFET的電流輸出端�
  柵極(Gate):用于控制源漏電流的大��
  NDT3055L的柵極與源極之間有一層氧化物絕緣�,可以阻止柵極電流的流動(dòng),從而實(shí)�(xiàn)�(duì)源漏電流的控�。在正常工作狀�(tài)下,柵極電壓�(yīng)在規(guī)定的范圍�(nèi),以確保MOSFET的正常工��

工作原理

NDT3055L的工作原理基于MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的原�。當(dāng)控制引腳(柵極)施加正電壓時(shí),柵極和溝道之間的氧化層上會(huì)形成一�(gè)正電�,這樣就會(huì)在溝道中形成一�(gè)�(dǎo)電通道。導(dǎo)電通道的導(dǎo)電能力與控制引腳施加的電壓成正比。當(dāng)控制引腳施加�(fù)電壓�(shí),導(dǎo)電通道�(guān)�,不�(dǎo)電�

參數(shù)

額定電壓(VDS):60V
  額定電流(ID):12A
  �(dǎo)通電阻(RDS(on)):0.047Ω(最大值)
  閾值電壓(VGS(th)):2-4V
  開關(guān)電容(Ciss):700pF(典型值)
  最大耗散功率(PD):75W
  工作溫度范圍(TJ):-55°C�150°C

特點(diǎn)

1、低�(dǎo)通電阻:NDT3055L具有較低的導(dǎo)通電阻,能夠在低電壓下實(shí)�(xiàn)低功耗工��
  2、高開關(guān)速度:該晶體管具有快速的開關(guān)特�,可適用于高頻應(yīng)��
  3、低閾值電壓:NDT3055L的閾值電壓較�,可以實(shí)�(xiàn)更低的驅(qū)�(dòng)電壓�
  4、高溫工作能力:該晶體管能夠在較高的溫度范圍�(nèi)正常工作,提高了系統(tǒng)的可靠性和�(wěn)定��
  5、TO-220封裝:封裝形式為TO-220,易于安裝和散熱�

�(yīng)�

NDT3055L廣泛�(yīng)用于各種電子�(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1、電源管理:用于開關(guān)電源、逆變器和變換器等電源管理電路��
  2、電�(jī)�(qū)�(dòng):可用于�(qū)�(dòng)直流電機(jī)、步�(jìn)電機(jī)和無刷直流電�(jī)��
  3、照明系�(tǒng):適用于LED照明�(qū)�(dòng)電路,如LED燈帶、LED燈泡��
  4、電子設(shè)備:在各種電子設(shè)備中,如電視、音響、計(jì)算機(jī)等的電源控制和開�(guān)電路中使��

安裝要點(diǎn)

NDT3055L是一種N溝道MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),在電子�(shè)備中被廣泛應(yīng)�。下面是�(guān)于NDT3055L的安裝要�(diǎn)�
  1、選擇合適的散熱器:NDT3055L在工作時(shí)�(huì)有一定的功耗,因此需要一�(gè)散熱器來幫助散熱。選擇一�(gè)合適的散熱器可以確保器件在長(zhǎng)�(shí)間工作時(shí)保持較低的溫��
  2、確保正確的引腳連接:NDT3055L有三�(gè)引腳,分別是源極(Source)、柵極(Gate)和漏極(Drain�。在安裝之前,確保正確地連接這些引腳。源極應(yīng)連接到負(fù)極,柵極�(yīng)連接到控制信�(hào),漏極應(yīng)連接到負(fù)��
  3、使用合適的焊接技�(shù):在將NDT3055L連接到電路板上時(shí),使用適�(dāng)?shù)暮附蛹夹g(shù)。常見的方法包括手工焊接和表面貼裝技�(shù)。確保焊接點(diǎn)牢固可靠,避免過度加熱或過度拉伸引腳�
  4、注意靜電防�(hù):NDT3055L是一種敏感的電子器件,容易受到靜電的損害。在安裝過程�,確保使用適�(dāng)?shù)撵o電防�(hù)措施,例如穿戴靜電手套或使用靜電防護(hù)��
  5、正確連接電源和控制信�(hào):在安裝NDT3055L之前,確保正確連接電源和控制信�(hào)。使用適�(dāng)?shù)碾娫措妷汉碗娏鳎⒋_??刂菩盘?hào)的電平和極性正��
  6、�(jìn)行必要的�(cè)試和�(yàn)證:在安裝完成后,�(jìn)行必要的�(cè)試和�(yàn)�。使用萬(wàn)用表或示波器檢查NDT3055L的引腳連接是否正確,以及電路功能是否正��
  在安裝NDT3055L�(shí),需要選擇合適的散熱�,確保正確的引腳連接,使用適�(dāng)?shù)暮附蛹夹g(shù),注意靜電防�(hù),正確連接電源和控制信�(hào),并�(jìn)行必要的�(cè)試和�(yàn)證。這些要點(diǎn)將幫助確保NDT3055L在電子設(shè)備中的安裝正確可�,并保證其正常工��

如何使用

NDT3055L是一種功率MOSFET器件,常用于電子�(shè)備的開關(guān)和放大電路中。下面是�(guān)于如何使用NDT3055L的簡(jiǎn)要步驟:
  1、確保正確的電源電壓:根�(jù)NDT3055L的規(guī)格書,確定適�(dāng)?shù)碾娫措妷?。不要超過規(guī)定的最大電源電壓來避免損壞器件�
  2、連接電源:將正極連接到NDT3055L的源極(S)引�,將�(fù)極連接到器件的漏極(D)引�。確保電源電壓與器件的電源要求匹��
  3、控制引腳連接:連接NDT3055L的柵極(G)引腳到控制信號(hào)�。這可以是一�(gè)微控制器、信�(hào)�(fā)生器或其他控制電��
  4、確定電流和功率需求:根據(jù)你的�(yīng)用需求,使用適當(dāng)?shù)碾娏骱凸β�?jì)算器來確定NDT3055L的額定電流和功率�
  5、添加保�(hù)電路:為了保�(hù)NDT3055L和其他電路組�,可以添加適�(dāng)?shù)谋Wo(hù)電路,如過流保護(hù)、過壓保�(hù)和溫度保�(hù)�
  6、運(yùn)行和�(cè)試:連接所有電�,并確保所有連接正確無誤。根�(jù)你的�(yīng)用需�,逐步�(cè)試NDT3055L的性能和可靠��
  7、注意熱管理:NDT3055L在工作過程中�(huì)�(chǎn)生一定的熱量。在�(shè)�(jì)�,確保適�(dāng)?shù)纳岷蜔峁芾恚员苊膺^熱導(dǎo)致器件損��
  8、注意靜電防�(hù):在處理NDT3055L�(shí),務(wù)必采取適�(dāng)?shù)撵o電防�(hù)措施。使用靜電手帶或抗靜電墊�(jìn)行操作,以防止器件受到靜電放電的損害�
  �(qǐng)注意,以上只是一�(gè)�(jiǎn)要的使用指南,具體的使用方法和注意事�(xiàng)可能因不同的�(yīng)用而有所不同。在使用NDT3055L之前,請(qǐng)�(wù)必詳�(xì)閱讀器件的規(guī)格書和應(yīng)用筆記,并遵循廠商提供的指導(dǎo)�

ndt3055l推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
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ndt3055l參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫歐 @ 4A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds345pF @ 25V
  • 功率 - 最�1.1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-261-4,TO-261AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-223-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NDT3055LTR