LC4064V-75TN100-10I 是一款基� CMOS 工藝的低功耗靜�(tài)隨機存取存儲器(SRAM�。該芯片具有高速讀寫能�、低功耗特性和高可靠性,適用于工�(yè)和商�(yè)�(yīng)用中的數(shù)�(jù)存儲場景。其封裝形式� TSSOP-100,工作電壓范圍廣,支持多種供電模��
這款 SRAM 提供� 4M x 16 的存儲容量配置,能夠滿足高性能嵌入式系�(tǒng)對大容量快速存儲的需�。此�,它還集成了自動省電功能,在不需要訪問內(nèi)存時可以顯著降低功��
存儲容量�4M x 16位(8MB�
工作電壓�1.7V � 1.9V
訪問時間�7ns
�(shù)�(jù)保持時間:無限(只要電源正常工作�
封裝形式:TSSOP-100
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
I/O 電壓�1.7V � 1.9V
待機功耗:<2μW(典型值)
工作頻率:最� 143MHz
LC4064V-75TN100-10I 具有以下主要特性:
1. 高速性能:支持高� 143MHz 的時鐘頻率,�??焖俚臄?shù)�(jù)傳輸與處��
2. 靜態(tài) RAM 技�(shù):無需刷新操作即可保存�(shù)�(jù),簡化了�(shè)計復(fù)雜度�
3. 超低功耗:在待機模式下消耗極低的電流,非常適合電池供電設(shè)備�
4. 可靠性高:具備數(shù)�(jù)保持功能,在掉電前可長期保存信息�
5. 寬工作電壓范圍:兼容多種供電�(huán)�,增強設(shè)計靈活性�
6. 商業(yè)級及工業(yè)級溫度范圍:滿足不同�(yīng)用場景下的穩(wěn)定運行需��
7. 自動節(jié)電模式:通過檢測活動狀�(tài)減少不必要的能量損耗�
LC4064V-75TN100-10I 廣泛�(yīng)用于需要大容量高速緩存或臨時存儲的場�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)備:路由�、交換機等設(shè)備中的包緩沖存儲�
2. 嵌入式系�(tǒng):如工業(yè)控制器、醫(yī)療儀�、測試測量裝置中的臨時數(shù)�(jù)存儲�
3. 圖形處理單元:用作顯存擴展或幀緩沖區(qū)�
4. 消費類電子產(chǎn)品:�(shù)碼相�、打印機、游戲機中的圖像或音頻緩��
5. �(shù)�(jù)采集系統(tǒng):實時記錄傳感器�(shù)�(jù)并進行快速處��
6. 物聯(lián)�(wǎng)終端:作為本地存儲以�(yōu)化網(wǎng)�(luò)帶寬使用�
LC4064V-75TNG100-10I
IS61LV4096AL-10TI
CY62LV1024FBJ-70SXI
AS4C16M16SA-10TCN