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LBTN180Y3T1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 17:43:38 查看 閱讀�38

LBTN180Y3T1G 是一款高性能� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),采� TO-263 封裝形式。這款芯片廣泛�(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、開(kāi)�(guān)電源等場(chǎng)�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流承載能�,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
  該器件在�(shè)�(jì)�(shí)充分考慮了高效率、高可靠性和低損耗的需求,適合需要高頻開(kāi)�(guān)和大電流處理的應(yīng)用環(huán)��

參數(shù)

最大漏源電壓:180V
  連續(xù)漏極電流�5.7A
  脈沖漏極電流�30A
  柵源電壓:�20V
  �(dǎo)通電阻:0.075Ω
  總電容:1200pF
  �(jié)溫范圍:-55� � 150�

特�

LBTN180Y3T1G 的主要特�(diǎn)是其出色的電氣性能和穩(wěn)定性。它具備以下�(yōu)�(shì)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠在大電流應(yīng)用中減少功率損耗�
  2. 高速開(kāi)�(guān)能力,支持高頻工作場(chǎng)��
  3. 較高的雪崩擊穿能量,增強(qiáng)了器件的耐用性和可靠��
  4. 采用 TO-263 封裝,有助于提高散熱性能,并且易于集成到各種電路�(shè)�(jì)��
  5. 支持寬廣的工作溫度范�,適�(yīng)多種工業(yè)和商�(yè)�(yīng)用場(chǎng)��
  這些特性使� LBTN180Y3T1G 成為許多電力電子�(shè)備中的理想選�,尤其是在需要高效能和穩(wěn)定性的條件下�

�(yīng)�

LBTN180Y3T1G 廣泛適用于以下領(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS),包� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電機(jī)控制和驅(qū)�(dòng)電路,例如步�(jìn)電機(jī)、直流無(wú)刷電�(jī)��
  3. 各種逆變器和 UPS 系統(tǒng)�
  4. �(guò)流保�(hù)電路和負(fù)載開(kāi)�(guān)�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備及消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中的功率管理模��
  憑借其�(qiáng)大的性能,該器件在這些�(yīng)用中展現(xiàn)了卓越的效率和可靠��

替代型號(hào)

LBTN180N3T1G, IRFZ44N, FDN340P

lbtn180y3t1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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  • 詢價(jià)