K9K2G08UOM-YCBO 是三星(Samsung)生產(chǎn)的 NAND Flash 存儲芯片,采用 3-bit MLC 技術(shù),存儲容量為 16GB。該芯片適用于需要大容量存儲的應(yīng)用場景,如固態(tài)硬盤(SSD)、嵌入式設(shè)備、消費(fèi)電子產(chǎn)品等。其設(shè)計(jì)注重高可靠性和快速數(shù)據(jù)存取性能。
該型號屬于 K9 系列 NAND Flash 芯片,具有良好的兼容性和穩(wěn)定性,支持 ONFI(Open NAND Flash Interface)標(biāo)準(zhǔn),能夠?qū)崿F(xiàn)高效的讀寫操作。
存儲容量:16GB
接口類型:ONFI 2.3
工作電壓:1.8V
封裝形式:TSOP
頁大�。�8KB
塊大小:512KB
通道數(shù):8
數(shù)據(jù)傳輸速率:200MB/s
K9K2G08UOM-YCBO 提供了高密度的 NAND Flash 存儲解決方案,采用 3-bit MLC 技術(shù),能夠在較小的物理空間內(nèi)提供更大的存儲容量。其支持 ONFI 2.3 標(biāo)準(zhǔn),具備快速的數(shù)據(jù)傳輸能力,并且功耗較低,適合長時(shí)間運(yùn)行的設(shè)備。
此外,這款芯片經(jīng)過嚴(yán)格的質(zhì)量控制和測試流程,確保在各種環(huán)境條件下都能保持穩(wěn)定性能。其可靠性設(shè)計(jì)包括 ECC(Error Correction Code)糾錯功能,可以有效減少數(shù)據(jù)錯誤,提升數(shù)據(jù)完整性。
此芯片還支持多級壞塊管理機(jī)制,能夠自動檢測并標(biāo)記壞塊,從而延長存儲器的使用壽命。同時(shí),它也支持磨損均衡技術(shù),進(jìn)一步優(yōu)化了 NAND Flash 的壽命和性能表現(xiàn)。
K9K2G08UOM-YCBO 廣泛應(yīng)用于需要大容量存儲的領(lǐng)域,例如:
1. 固態(tài)硬盤(SSD)
2. 嵌入式系統(tǒng)中的存儲模塊
3. 智能電視、機(jī)頂盒等消費(fèi)類電子產(chǎn)品
4. 工業(yè)控制設(shè)備
5. 數(shù)據(jù)記錄儀和監(jiān)控系統(tǒng)
由于其高性能和低功耗特點(diǎn),也非常適合移動設(shè)備和便攜式電子產(chǎn)品的存儲需求。
K9K2G08UOM-YCBR, K9K2G08UOB-YCBO