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LQP15MN2N4B02D 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/22 12:01:12 查看 閱讀：12

LQP15MN2N4B02D 是一款由 ROHM（羅姆）生產(chǎn)的低導(dǎo)通電阻 N 溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。該器件采用超小型 CSP（Chip Scale Package）封裝，具有出色的開(kāi)關(guān)性能和較低的導(dǎo)通損耗，適合用于需要高效能和節(jié)省空間的應(yīng)用場(chǎng)景。
　　這種 MOSFET 的設(shè)計(jì)使其非常適合用在便攜式電子設(shè)備、消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品以及其他對(duì)尺寸和效率要求較高的應(yīng)用中。

參數(shù)

最大漏源電壓：30V
　　連續(xù)漏極電流：2.6A
　　導(dǎo)通電阻：7mΩ
　　柵極電荷：9nC
　　開(kāi)關(guān)時(shí)間：ton=8ns，toff=18ns
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +150℃

特性

LQP15MN2N4B02D 具有以下顯著特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），可降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
　　2. 超小型 CSP 封裝設(shè)計(jì)，有助于減少 PCB 空間占用，適合緊湊型設(shè)計(jì)。
　　3. 快速開(kāi)關(guān)能力，能夠滿(mǎn)足高頻開(kāi)關(guān)電路的需求。
　　4. 高可靠性，能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行。
　　5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且支持無(wú)鉛焊接工藝。

應(yīng)用

該 MOSFET 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 移動(dòng)設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)和電源管理模塊。
　　2. 消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和降壓/升壓電路。
　　3. LED 驅(qū)動(dòng)電路以及小型電機(jī)控制。
　　4. 電池供電設(shè)備中的保護(hù)電路，例如過(guò)流保護(hù)或短路保護(hù)。
　　5. 其他需要高效能和小體積解決方案的電子應(yīng)用。

替代型號(hào)

LQP15MN2N4B02E, LQP15MN2N4B02F

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lqp15mn2n4b02d參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝10,000
  • 類(lèi)別電感器，線(xiàn)圈，扼流圈
  • 家庭固定式
  • 系列LQP15M
  • 電感2.4nH
  • 電流220mA
  • 電流 - 飽和-
  • 電流 - 溫升-
  • 類(lèi)型-
  • 容差±0.1nH
  • 屏蔽無(wú)屏蔽
  • DC 電阻(DCR)最大 300 毫歐
  • Q因子@頻率13 @ 500MHz
  • 頻率 - 自諧振6GHz
  • 材料 - 芯體-
  • 封裝/外殼0402（1005 公制）
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C
  • 頻率 - 測(cè)試500MHz