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K4B4G1646E-BCK0 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/22 16:32:26 查看 閱讀：4

K4B4G1646E-BCK0 是由三星（Samsung）生產(chǎn)的一款 DDR3L SDRAM 芯片，主要用于需要低功耗內(nèi)存解決方案的應(yīng)用場(chǎng)景。該芯片支持 1.35V 的工作電壓，具有高密度和高性能的特點(diǎn)，適用于筆記本電腦、平板電腦、嵌入式系統(tǒng)和其他便攜式電子設(shè)備。
　　DDR3L 是 DDR3 的低電壓版本，能夠在保證性能的同時(shí)降低功耗，滿(mǎn)足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對(duì)能效的嚴(yán)格要求。

參數(shù)

容量：4Gb (512MBx8)
　　類(lèi)型：DDR3L SDRAM
　　工作電壓：1.35V
　　數(shù)據(jù)速率：1600Mbps
　　組織方式：512M x 8
　　封裝類(lèi)型：BGA 78-ball
　　工作溫度：-40°C 至 +85°C
　　I/O 標(biāo)準(zhǔn)：1.35V VTT
　　引腳間距：1.0mm

特性

K4B4G1646E-BCK0 提供了出色的性能和低功耗表現(xiàn)。其主要特性包括：
　　1. 支持 DDR3L 協(xié)議，兼容標(biāo)準(zhǔn) DDR3 內(nèi)存接口。
　　2. 工作電壓為 1.35V，相比傳統(tǒng)的 DDR3 內(nèi)存（1.5V）降低了功耗。
　　3. 數(shù)據(jù)速率達(dá)到 1600Mbps，能夠滿(mǎn)足多種應(yīng)用場(chǎng)合對(duì)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)男枨蟆?br>　　4. 高密度設(shè)計(jì)，單顆芯片即可提供 4Gb 容量。
　　5. 封裝采用緊湊型 BGA 78 球設(shè)計(jì)，適合空間受限的應(yīng)用環(huán)境。
　　6. 工作溫度范圍寬廣，適應(yīng)各種嚴(yán)苛的工作環(huán)境。
　　7. 具有突發(fā)長(zhǎng)度為 8 和讀寫(xiě)延遲可調(diào)的功能，可根據(jù)具體需求優(yōu)化性能。

應(yīng)用

K4B4G1646E-BCK0 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 筆記本電腦和超極本。
　　2. 平板電腦和其他移動(dòng)設(shè)備。
　　3. 嵌入式系統(tǒng)，如工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備等。
　　4. 消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品，例如智能電視和機(jī)頂盒。
　　5. 醫(yī)療設(shè)備和汽車(chē)電子系統(tǒng)。
　　由于其低功耗和高性能特點(diǎn)，這款芯片非常適合用于對(duì)續(xù)航能力和散熱性能有較高要求的場(chǎng)景。

替代型號(hào)

K4B4G1646E-BCK0J, K4B4G1646E-BCK0H

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