K4B4G1646B-HYH9是三星(Samsung)推出的一款DDR3 SDRAM�(nèi)存顆粒芯�,主要應(yīng)用于�(jì)算機(jī)、服�(wù)器和其他需要高性能存儲(chǔ)的電子設(shè)備中。該芯片采用先�(jìn)的制程工藝制�,具備高帶寬和低功耗的特點(diǎn),能夠滿足現(xiàn)代計(jì)算平�(tái)�(duì)�(shù)�(jù)處理速度和能效的需��
這款芯片支持DDR3�(biāo)�(zhǔn)�(guī)�,提供穩(wěn)定的�(shù)�(jù)傳輸性能,同�(shí)其封裝形式為BGA(球柵陣列封裝),便于在各種主板和模塊上的集成與使用�
容量�4Gb
接口類型:DDR3
組織方式�512M x 8
工作電壓�1.35V
�(shù)�(jù)速率�1600Mbps
封裝形式:BGA
I/O配置:BGAF(78ball)
溫度范圍�-40°C ~ +85°C
K4B4G1646B-HYH9是一款高性能的DDR3�(nèi)存芯�,具有以下特�(diǎn)�
1. 支持DDR3�(guī)�,提供高�(dá)1600Mbps的數(shù)�(jù)傳輸速率,確保快速的�(shù)�(jù)交換能力�
2. 采用低功耗設(shè)�(jì),典型工作電壓為1.35V,有助于降低整體系統(tǒng)能耗�
3. 具備高可靠性和�(wěn)定�,能夠在廣泛的溫度范圍內(nèi)正常�(yùn)行,適應(yīng)多種工作�(huán)��
4. 封裝形式為BGA,便于實(shí)�(xiàn)高密度的電路板布局,提升空間利用率�
5. �(nèi)部結(jié)�(gòu)�(yōu)�,具備良好的信號(hào)完整性和抗干擾性能,適合高性能�(jì)算應(yīng)��
K4B4G1646B-HYH9廣泛�(yīng)用于各類需要高性能�(nèi)存的�(chǎng)合,包括但不限于�
1. �(tái)式電腦和筆記本電腦中的內(nèi)存條組件�
2. 工業(yè)控制�(shè)備中的數(shù)�(jù)存儲(chǔ)模塊�
3. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)備中的高速緩存單��
4. �(yī)療成像設(shè)備和科學(xué)儀器中的數(shù)�(jù)處理部件�
5. 服務(wù)器和�(shù)�(jù)中心中的大容�?jī)?nèi)存擴(kuò)展解決方案�
K4B4G1646D-HYH9, K4B4G1646Q-HYF9