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KSP06TA 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/12/6 11:40:06 查看 閱讀�217

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

目錄

概述

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:晶體管(BJT) - 單路
晶體管類型:NPN
電流 - 集電� (Ic)(最大)�500mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)�80V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)�250mV @ 10mA, 100mA
電流 - 集電極截止(最大)�100nA
在某 Ic、Vce �(shí)的最小直流電流增� (hFE)�50 @ 100mA, 1V
功率 - 最大:625mW
頻率 - �(zhuǎn)換:100MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-92-3(標(biāo)�(zhǔn)主體�,TO-226
包裝:帶� (TB)

ksp06ta推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
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  • 封裝/批號
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  • KSP06TA
  • NPN Epitaxial Silicon Transistor, 3 ...
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ksp06ta參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類�NPN
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)500mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)80V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)250mV @ 10mA�100mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)100nA
  • 在某 Ic、Vce �(shí)的最小直流電流增� (hFE)50 @ 100mA�1V
  • 功率 - 最�625mW
  • 頻率 - �(zhuǎn)�100MHz
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引�
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-92-3
  • 包裝帶盒(TB�