K4B2G1646F-BYMA是三星(Samsung)推出的一款DDR3 SDRAM內(nèi)存芯片,屬于Green Package系列。該芯片主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、工業(yè)控制和嵌入式系統(tǒng)等需要高性能內(nèi)存支持的場(chǎng)景。其設(shè)計(jì)符合JEDEC DDR3標(biāo)準(zhǔn),并具有低功耗、高帶寬和穩(wěn)定性能的特點(diǎn)。
該芯片采用FBGA封裝形式,引腳數(shù)為96,具備良好的電氣特性和熱性能,適用于各種苛刻的工作環(huán)境。
類型:DDR3 SDRAM
容量:2Gb (256Mb x 8)
工作電壓:1.35V
數(shù)據(jù)速率:1600Mbps
封裝形式:96-ball FBGA
工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C
I/O標(biāo)準(zhǔn):1.35V VDDQ
刷新模式:自動(dòng)刷新、自刷新
突發(fā)長(zhǎng)度:4, 8
CAS延遲:11
K4B2G1646F-BYMA是一款高度集成的DDR3 SDRAM存儲(chǔ)芯片,其核心優(yōu)勢(shì)在于高效的數(shù)據(jù)傳輸能力和較低的功耗。
首先,該芯片支持1600Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率,滿足現(xiàn)代計(jì)算平臺(tái)對(duì)高帶寬的需求。同時(shí),它采用了1.35V低電壓設(shè)計(jì),相比傳統(tǒng)的1.5V DDR3芯片能夠顯著降低能耗,這對(duì)于便攜式設(shè)備尤為重要。
其次,K4B2G1646F-BYMA支持多種刷新模式,包括自動(dòng)刷新和自刷新,確保在不同工作狀態(tài)下都能維持?jǐn)?shù)據(jù)的完整性。此外,其具備可配置的突發(fā)長(zhǎng)度(BL=4或BL=8),可以根據(jù)具體應(yīng)用場(chǎng)景優(yōu)化性能。
最后,這款芯片經(jīng)過嚴(yán)格的可靠性測(cè)試,能夠在-40°C至+85°C的寬溫范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行,適應(yīng)多種復(fù)雜環(huán)境下的應(yīng)用需求。
K4B2G1646F-BYMA廣泛應(yīng)用于對(duì)存儲(chǔ)性能要求較高的領(lǐng)域,包括但不限于:
1. 消費(fèi)電子產(chǎn)品:如智能電視、機(jī)頂盒、游戲主機(jī)等需要大容量?jī)?nèi)存支持的設(shè)備。
2. 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備:如路由器、交換機(jī)和防火墻等,這些設(shè)備依賴高效的內(nèi)存來處理大量數(shù)據(jù)包。
3. 工業(yè)自動(dòng)化:例如PLC控制器、人機(jī)界面和數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)等,這些系統(tǒng)需要可靠的內(nèi)存以保證持續(xù)運(yùn)行。
4. 嵌入式系統(tǒng):如醫(yī)療儀器、車載信息系統(tǒng)和其他專用硬件平臺(tái),這類系統(tǒng)通常需要定制化的高性能內(nèi)存解決方案。
K4B2G1646D-BYM, K4B2G1646Q-BYMC