K4B2G0846Q-BCKO 是由三星(Samsung)生�(chǎn)的一� DDR3L �(nèi)存顆粒芯�。該芯片采用先�(jìn)的制程工藝制�,支持低功耗的 1.35V 供電電壓,廣泛應(yīng)用于筆記本電�、平板設(shè)備以及其他需要高性能和低功耗內(nèi)存解決方案的�(lǐng)�。該芯片屬于大容� DRAM 芯片,具備高�(shù)�(jù)傳輸速率和穩(wěn)定��
DDR3L 技�(shù)的引入使得該芯片能夠在保證性能的同�(shí)顯著降低功�,從而延�(zhǎng)電池�(qū)�(dòng)�(shè)備的�(xù)航時(shí)��
�(lèi)型:DRAM
子類(lèi)型:DDR3L
容量�2Gb (256M x 8)
核心組織�8-bank
工作電壓�1.35V
I/O 電壓�1.35V
�(shù)�(jù)速率�1600Mbps
封裝�(lèi)型:BGA 78-ball
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
引腳間距�1.0mm
K4B2G0846Q-BCKO 提供了多種關(guān)鍵特性以�(mǎn)足現(xiàn)代電子設(shè)備的需求。首�,其 DDR3L 架構(gòu)支持高達(dá) 1600 Mbps 的數(shù)�(jù)傳輸速率,確??焖俚臄?shù)�(jù)交換能力�
其次,該芯片采用� 1.35V 的低功耗設(shè)�(jì),相比傳�(tǒng)� DDR3 �(biāo)�(zhǔn)�1.5V�,能夠有效減少能�,特別適合對(duì)功耗敏感的�(yīng)用場(chǎng)��
此外,這款芯片具有較高的穩(wěn)定性和可靠�,在各種溫度條件下都能保持一致的性能表現(xiàn)。同�(shí),它支持突發(fā)�(zhǎng)度為 8 � CAS 延遲選項(xiàng)(CL=11),�(jìn)一步優(yōu)化了讀�(xiě)效率。最�,BGA 78-ball 封裝形式使其易于集成到小型化�(shè)�(jì)��
K4B2G0846Q-BCKO 主要用于需要高性能�(nèi)存的電子�(shè)備中,例如:
- 筆記本電腦和超極�
- 平板電腦和其他移�(dòng)�(shè)�
- �(wǎng)�(luò)路由器及交換�(jī)
- 工業(yè)控制�(shè)�
- �(yī)療儀�
- 嵌入式系�(tǒng)
這些�(shè)備通常要求�(nèi)存芯片在有限的空間內(nèi)提供高效的性能和低功耗支�,� K4B2G0846Q-BCKO 正好�(mǎn)足這些需求�
K4B2G0846D-BCK0, K4B2G0846Q-BCK0