時間：2025/5/19 10:09:23
閱讀：17
ISC028N04NM5 是一款基于硅材料的 N 溝道增強型 MOSFET，適用于高頻開關應用和電源管理領域。該器件采用先進的制造工藝，在低導通電阻和快速開關性能之間實現(xiàn)了良好的平衡，從而提高了系統(tǒng)效率并降低了功率損耗。
ISC028N04NM5 的額定電壓為 40V，適合在中低壓環(huán)境下工作。其封裝形式通常為行業(yè)標準的小型表面貼裝類型（例如 SOT-23 或 DPAK），這使得它非常適合空間受限的設計場景。
額定電壓：40V
最大漏極電流：28A
導通電阻（Rds(on)）：6mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
柵極電荷：20nC（典型值）
總功耗：1.7W
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
ISC028N04NM5 提供了非常低的導通電阻，這有助于減少傳導損耗并提高整體效率。此外，該器件具備快速開關能力，能夠有效降低開關損耗，特別適合于 DC-DC 轉換器、同步整流以及負載開關等應用場景。
另外，其堅固的設計使其能夠在極端溫度條件下穩(wěn)定運行，同時具備良好的抗浪涌能力和 ESD 保護功能，增強了產品的可靠性。
該器件還支持高頻率操作，因此可以減小無源元件的尺寸，進一步優(yōu)化 PCB 布局和成本。
ISC028N04NM5 廣泛應用于消費類電子、通信設備及工業(yè)控制領域。具體包括但不限于以下方面：
- 開關模式電源 (SMPS)
- DC-DC 轉換器
- 同步整流電路
- 負載開關
- 電機驅動
- 電池管理系統(tǒng) (BMS)
由于其高效的性能和緊湊的封裝形式，該 MOSFET 特別適合便攜式設備和其他需要高效能與小型化設計的應用場合。
IRLZ44N
AO3400
FDMQ8203
