時間：2025/5/28 16:31:13
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JMK316BJ106KL-T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動和開關(guān)電路中。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝，具備低導(dǎo)通電阻、高效率以及優(yōu)異的熱性能等特性，能夠滿足多種工業(yè)和消費(fèi)類電子設(shè)備的需求。
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器件，通過優(yōu)化設(shè)計降低了開關(guān)損耗，并提升了整體系統(tǒng)的能效表現(xiàn)。
型號：JMK316BJ106KL-T
類型：N溝道功率MOSFET
工作電壓(Vds)：650V
持續(xù)漏極電流(Id)：12A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：60mΩ
柵極電荷(Qg)：85nC
最大功耗(PD)：175W
結(jié)溫范圍(Tj)：-55℃ 至 +175℃
封裝形式：TO-247
JMK316BJ106KL-T 具備以下顯著特性：
1. 高耐壓能力，可承受高達(dá) 650V 的漏源電壓，適用于高壓應(yīng)用環(huán)境。
2. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on) 僅為 60mΩ），有助于降低導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。
3. 優(yōu)化的柵極電荷參數(shù)，減少了開關(guān)過程中的能量損失。
4. 良好的熱穩(wěn)定性，在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定的性能輸出。
5. 支持大電流操作，額定漏極電流可達(dá) 12A，適合需要較高電流承載能力的應(yīng)用場景。
6. 封裝為 TO-247，具有出色的散熱性能，便于集成到各種電路板設(shè)計中。
該芯片適用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件。
2. 工業(yè)控制設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動與逆變器模塊。
3. 太陽能光伏系統(tǒng)中的 MPPT 控制單元。
4. 電動車充電裝置的核心功率變換電路。
5. 各種需要快速開關(guān)和高效能轉(zhuǎn)換的電子設(shè)備。
IRFZ44N
FQP17N65
STP12NK65M5
