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35GH1197CL 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 18:16:41 查看 閱讀�29

35GH1197CL 是一款高性能� GaN(氮化鎵)功率晶體管,采用增�(qiáng)型設(shè)�(jì)。該器件具有高開(kāi)�(guān)速度、低�(dǎo)通電阻和高效率等特點(diǎn),適用于高頻電源�(zhuǎn)換應(yīng)�。其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝封裝,便于大規(guī)模生�(chǎn)和使��
  35GH1197CL 主要用于需要高效率和小尺寸解決方案的應(yīng)用場(chǎng)�,例如服�(wù)器電源、通信�(shè)備電源、DC-DC �(zhuǎn)換器和無(wú)線充電系�(tǒng)��

參數(shù)

額定電壓�650V
  額定電流�12A
  �(dǎo)通電阻:8mΩ
  柵極電荷�35nC
  最大工作溫度:175°C
  封裝類型:TO-247-3

特�

35GH1197CL 具備卓越的電氣性能和可靠�。其主要特性包括:
  1. 高頻操作能力:由于采用了先�(jìn)� GaN 技�(shù),能夠支持高�(dá)�(shù) MHz 的開(kāi)�(guān)頻率,從而顯著減小磁性元件的體積�
  2. 極低的導(dǎo)通電阻:僅為 8mΩ,確保了在高電流�(fù)載下的高效運(yùn)行�
  3. 熱穩(wěn)定性:器件能夠在最� 175°C 的結(jié)溫下�(wěn)定工�,適�(yīng)高溫�(huán)��
  4. 小尺寸封裝:與傳�(tǒng)硅基 MOSFET 相比,該器件的封裝更緊湊,節(jié)� PCB 空間�
  5. �(nèi)� ESD 保護(hù):增�(qiáng)了器件的抗靜電能力,提高了系�(tǒng)的整體可靠��
  這些特點(diǎn)� 35GH1197CL 成為�(xiàn)代電力電子設(shè)�(jì)的理想選擇�

�(yīng)�

35GH1197CL 廣泛�(yīng)用于多種電力電子�(lǐng)�,包括但不限于:
  1. �(shù)�(jù)中心和服�(wù)器電源:
   - �(shí)�(xiàn)更高效率和功率密度的 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換�
  2. 通信電源�
   - 在基站和其他通信�(shè)備中提供高效的電源管��
  3. 消費(fèi)電子�(chǎn)品:
   - 用于快速充電器和適配器,支持更高的充電速度和效��
  4. 工業(yè)�(yīng)用:
   - 包括工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�、電�(jī)�(qū)�(dòng)器和不間斷電� (UPS) 系統(tǒng)�
  5. 新能源:
   - 太陽(yáng)能逆變�、電�(dòng)車車載充電器等新能源相關(guān)�(yīng)��
  這款芯片通過(guò)其卓越的性能表現(xiàn),在眾多�(yīng)用中提供了出色的解決方案�

替代型號(hào)

35GH1197CP, 35NH0120GL

35gh1197cl推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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