IPDH4N03LA-G 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)� N 溝道功率 MOSFET。該器件采用 TOLL 封裝,具有低導通電阻和高電流處理能力的特點,適用于多種功率�(zhuǎn)換和電機�(qū)動應(yīng)用�
這款 MOSFET 以其�(yōu)異的開關(guān)性能和耐用性著�,適合需要高效能、高可靠性的工業(yè)和汽車電子設(shè)��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�129A
導通電阻:0.57mΩ
柵極電荷�68nC
開關(guān)頻率:最高可� 1MHz
工作溫度范圍�-55� � +175�
IPDH4N03LA-G 提供了超低的導通電� (Rds(on)),從而減少了傳導損�,提升了整體效率。同�,其封裝�(shè)計優(yōu)化了散熱性能,使其能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運��
此外,該器件具備較低的柵極電� (Qg),有助于減少開關(guān)損耗并提高高頻操作下的性能。結(jié)合其大電流承載能�,IPDH4N03LA-G 成為各類高功率密度應(yīng)用的理想選擇�
由于其出色的熱特性和電氣特�,此 MOSFET 可廣泛應(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、電動車輛牽引逆變器以及工�(yè)馬達控制等領(lǐng)��
該芯片主要應(yīng)用于以下場景�
1. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器
2. 工業(yè)用電機驅(qū)動系�(tǒng)
3. 新能源汽車中的逆變�
4. 太陽能微逆變�
5. 電源管理系統(tǒng) (如服�(wù)器和通信�(shè)�)
這些�(yīng)用均受益于其低導通電阻和良好的開�(guān)特性,實現(xiàn)了更高效的能量轉(zhuǎn)換與管理�
IPB016N03L-02G, IRF3710TRPBF