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IXFV18N60P 發(fā)布時間 時間�2024/9/23 13:51:17 查看 閱讀�242

參數(shù)

類別:分離式半導體產(chǎn)�
  家庭:MOSFET,GaNFET-�
  系列:PolarHV?
  FET型:MOSFET N通道,金屬氧化物
  FET特點:標準型
  開態(tài)Rds(最大) Id,Vgs 25°C�400毫歐 500mA,10V
  漏極至源極電�(Vdss)�600V
  電流-連續(xù)漏極(Id) 25°C�18A
  Id時的Vgs(th)(最大)�5.5V 2.5mA
  閘電�(Qg) Vgs�50nC 10V
  在Vds時的輸入電容(Ciss)�2500pF 25V
  功率-最大:360W

封裝參數(shù)

安裝類型:通孔
  封裝/外殼:PLUS-220
  包裝:管�

ixfv18n60p推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
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ixfv18n60p參數(shù)

  • 標準包裝50
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PolarHV™ HiPerFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C18A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C400 毫歐 @ 500mA�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)5.5V @ 2.5mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs50nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2500pF @ 25V
  • 功率 - 最�360W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3(SMT)標�
  • 供應商設備封�PLUS220
  • 包裝管件