類別:分離式半導體產�
家庭:MOSFET,GaNFET-�
系列:HiPerFET?
FET型:MOSFET N通道,金屬氧化物
FET特點:標準型
開態(tài)Rds(最大) Id,Vgs 25°C�420毫歐 500mA,10V
漏極至源極電�(Vdss)�800V
電流-連續(xù)漏極(Id) 25°C�23A
Id時的Vgs(th)(最大)�4.5V 3mA
閘電�(Qg) Vgs�130nC 10V
在Vds時的輸入電容(Ciss)�4900pF 25V
功率-最大:500W
安裝類型:表面貼�
封裝/外殼:TO-268
包裝:散�