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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > IXFT23N80Q

IXFT23N80Q 發(fā)布時間 時間�2024/9/24 10:21:02 查看 閱讀�222

參數(shù)

類別:分離式半導體產�
  家庭:MOSFET,GaNFET-�
  系列:HiPerFET?
  FET型:MOSFET N通道,金屬氧化物
  FET特點:標準型
  開態(tài)Rds(最大) Id,Vgs 25°C�420毫歐 500mA,10V
  漏極至源極電�(Vdss)�800V
  電流-連續(xù)漏極(Id) 25°C�23A
  Id時的Vgs(th)(最大)�4.5V 3mA
  閘電�(Qg) Vgs�130nC 10V
  在Vds時的輸入電容(Ciss)�4900pF 25V
  功率-最大:500W

封裝參數(shù)

安裝類型:表面貼�
  封裝/外殼:TO-268
  包裝:散�

ixft23n80q推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ixft23n80q參數(shù)

  • 標準包裝1
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列HiPerFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)800V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C23A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C420 毫歐 @ 500mA�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 3mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs130nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds4900pF @ 25V
  • 功率 - 最�500W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-268-3,D³Pak�2 引線+接片�,TO-268AA
  • 供應商設備封�TO-268
  • 包裝散裝