時間：2025/5/22 18:36:04
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AP160N04P是一款N溝道增強型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。該器件采用先進的制造工藝，具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開關(guān)速度，適用于多種電源管理應(yīng)用。其封裝形式通常為TO-220或TO-252，適合需要高電流驅(qū)動能力的場景。
最大漏源電壓：40V
最大柵源電壓：±20V
連續(xù)漏極電流：160A
導(dǎo)通電阻：1.3mΩ
總功耗：170W
結(jié)溫范圍：-55℃至175℃
AP160N04P具備低導(dǎo)通電阻，能夠有效降低功率損耗，提高系統(tǒng)效率。
它具有較快的開關(guān)速度，可以適應(yīng)高頻開關(guān)電路的需求。
其高電流承載能力使其非常適合用于大功率應(yīng)用環(huán)境，例如電機驅(qū)動、負載切換和DC-DC轉(zhuǎn)換器等。
此外，該器件還具有良好的熱穩(wěn)定性和抗干擾能力，確保在惡劣環(huán)境下也能正常工作。
AP160N04P廣泛應(yīng)用于汽車電子、工業(yè)控制和消費類電子產(chǎn)品中。
典型應(yīng)用場景包括但不限于：
- 電動汽車中的電機控制器
- 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切換模塊
- 高效DC-DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計
- 太陽能逆變器中的功率調(diào)節(jié)單元
- 各種開關(guān)電源和不間斷電源(UPS)系統(tǒng)
IRFZ44N
STP160N04
FDP160N04L
