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IXFR14N100Q2 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/11/28 17:20:11 查看 閱讀�213

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

目錄

概述

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列:HiPerFET?
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):標(biāo)�(zhǔn)�
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�900 毫歐 @ 7A, 10V
漏極至源極電�(Vdss)�1000V (1kV)
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�9.5A
Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�5V @ 4mA
閘電�(Qg) @ Vgs�83nC @ 10V
� Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �2700pF @ 25V
功率 - 最大:200W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:ISOPLUS247?
包裝:管�

ixfr14n100q2推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ixfr14n100q2參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝30
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HiPerFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)1000V�1kV�
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C9.5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.1 歐姆 @ 7A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)5V @ 4mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs83nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2700pF @ 25V
  • 功率 - 最�200W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼ISOPLUS247?
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�ISOPLUS247?
  • 包裝管件