ISP650P06NM是一款高性能、低功耗的N溝道MOSFET,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,專為高效率功率�(zhuǎn)換和開關(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件具有低導(dǎo)通電阻(Rds(on)�、快速開�(guān)特性和�(yōu)異的熱穩(wěn)定�,廣泛適用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制以及通信�(shè)備等�(lǐng)��
這款MOSFET能夠提供出色的電流處理能力和電壓耐受能力,在電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(chǎng)景中表現(xiàn)出色�
型號(hào):ISP650P06NM
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
VDS(漏源極擊穿電壓):60V
Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�4.5mΩ
ID(連續(xù)漏極電流):100A
Qg(柵極電荷)�28nC
VGS(th)(柵極開啟電壓)�2.0V�4.0V
f(max)(最大工作頻率)�1MHz
封裝形式:TO-247
ISP650P06NM具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有效降低功率損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)�,減少開�(guān)損耗�
3. 高電流承載能�,支持高�(dá)100A的連續(xù)漏極電流,滿足大功率需��
4. 緊湊的封裝設(shè)�(jì),便于PCB布局與散熱管��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
6. �(wěn)定的工作溫度范圍�-55°C�+175°C,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條��
7. 具備�(guò)溫保�(hù)和短路保�(hù)功能,提高系�(tǒng)的可靠性和安全��
ISP650P06NM因其卓越的性能和可靠性,適用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器及降�/升壓電路中的功率開關(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器模塊中的功率級(jí)元件�
4. �(fù)載切換和保護(hù)電路中的開關(guān)元件�
5. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源發(fā)電系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換組件�
6. 電動(dòng)汽車(EV)和混合�(dòng)力汽車(HEV)的電池管理系統(tǒng)(BMS)中的關(guān)鍵器��
IRF650N, FDP650N, STW650N6