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ISC019N03L5S 發(fā)布時間 時間:2025/5/19 14:20:51 查看 閱讀:17

ISC019N03L5S是一款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET),專為高頻開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計。該器件采用先進(jìn)的GaN工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,可顯著提高電源轉(zhuǎn)換效率并減小系統(tǒng)尺寸。
  ISC019N03L5S適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC適配器、無線充電器以及其他高效能電力電子設(shè)備。其封裝形式緊湊,能夠支持高密度布局設(shè)計,同時具備出色的熱性能。

參數(shù)

額定電壓:30V
  最大漏極電流:19A
  導(dǎo)通電阻:2.5mΩ(典型值,在Vgs=6V時)
  柵極電荷:8nC(典型值)
  開關(guān)頻率:最高可達(dá)4MHz
  封裝類型:LFPAK5
  工作溫度范圍:-55°C至+175°C
  存儲溫度范圍:-65°C至+150°C

特性

ISC019N03L5S的主要特性包括以下幾點:
  1. 低導(dǎo)通電阻,有助于降低傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率。
  2. 快速開關(guān)速度,支持高頻操作,減少磁性元件體積。
  3. 緊湊型封裝設(shè)計,節(jié)省PCB空間。
  4. 高擊穿電壓保證了在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定運行。
  5. 出色的熱管理能力,能夠在高溫環(huán)境下保持高性能。
  6. 內(nèi)置ESD保護(hù)功能,增強了器件的可靠性。
  這些特點使得ISC019N03L5S成為現(xiàn)代高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇。

應(yīng)用

ISC019N03L5S廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
  3. AC-DC適配器
  4. USB-PD快充模塊
  5. 無線充電發(fā)射端
  6. 汽車電子中的輔助電源電路
  7. 工業(yè)自動化設(shè)備中的高效驅(qū)動電路
  由于其高頻和高效的特點,這款器件非常適合對體積和效率要求較高的場景。

替代型號

ISC019N03L3S
  ISG019N03L5S

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