GA1210Y683KXJAT31G是一款高性能的功率MOSFET器件,主要用于高效率電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)關(guān)速度,從而能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)性能。
其封裝形式為T(mén)O-263(D2PAK),適合表面貼裝技術(shù)(SMT)組裝,具備良好的散熱性能和可靠性。該型號(hào)廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制器以及各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:32A
導(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷:95nC
開(kāi)關(guān)速度:40ns
工作溫度范圍:-55℃至175℃
封裝類型:TO-263(D2PAK)
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠在高電流應(yīng)用中減少傳導(dǎo)損耗。
2. 高速開(kāi)關(guān)能力,有助于降低開(kāi)關(guān)損耗并提高電源轉(zhuǎn)換效率。
3. 優(yōu)秀的熱性能設(shè)計(jì),確保在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
4. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且適用于現(xiàn)代電子產(chǎn)品的需求。
5. 內(nèi)置ESD保護(hù)功能,增強(qiáng)了器件的魯棒性。
6. 可靠性經(jīng)過(guò)嚴(yán)格測(cè)試,適合長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行的關(guān)鍵應(yīng)用環(huán)境。
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)關(guān)管。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器的核心功率器件。
3. 各類電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)元件。
4. 工業(yè)控制設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊。
5. 電池管理系統(tǒng)中的負(fù)載開(kāi)關(guān)。
6. 其他需要高效功率管理的應(yīng)用場(chǎng)景。
IRF3205
STP32NF10L
FDP15U20A