IS43DR16640C-25DBLI 是一種高�、低功耗的 DDR3L SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory),采用先�(jìn)的存�(chǔ)技�(shù)�(shè)�(jì),支持高效的�(shù)�(jù)處理和傳�。該芯片通常用于需要高性能�(nèi)存的�(yīng)用場(chǎng)景,例如�(wǎng)�(luò)�(shè)�、工�(yè)控制、嵌入式系統(tǒng)以及消費(fèi)類電子產(chǎn)��
DDR3L(Low Voltage)代表其工作電壓較低,通常� 1.35V,相比傳�(tǒng)� DDR3 芯片具有更低的功耗特�。這款芯片擁有 16Gb 的存�(chǔ)容量,并且通過�(yōu)化的架構(gòu)�(shè)�(jì)能夠提供高帶寬和低延遲的性能表現(xiàn)�
容量�16 Gb
組織方式�1Gb x 8 / 512Mb x 16
核心電壓(Vdd/Vddq)�1.35V
�(shù)�(jù)寬度:x8/x16
速度等級(jí)�1600Mbps
封裝類型:FBGA
引腳�(shù)�96
工作溫度范圍�-40°C ~ +85°C
刷新模式:自�(dòng)刷新、自刷新
突發(fā)�(zhǎng)度:4/8
IS43DR16640C-25DBLI 提供了多種先�(jìn)的功能和特性,以滿足現(xiàn)代電子設(shè)備的需求:
1. 支持高達(dá) 1600Mbps 的數(shù)�(jù)傳輸速率,確??焖俚臄?shù)�(jù)交換能力�
2. �(nèi)� DLL(延遲鎖定環(huán)路),可�(shí)�(xiàn)精確的時(shí)鐘對(duì)�,減少信�(hào)偏差�
3. 具備節(jié)能模式,如深度掉電模� (Deep Power Down),在不需要高頻訪問時(shí)�(jìn)一步降低功耗�
4. 支持 CAS Latency(CL)設(shè)�,可根據(jù)具體�(yīng)用需求調(diào)節(jié)延遲值以�(yōu)化性能�
5. 工作溫度范圍廣,適合工業(yè)�(jí)和商�(yè)�(jí)�(huán)境使��
6. 高可靠性設(shè)�(jì),適用于�(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行的�(guān)鍵任�(wù)�(yīng)��
該芯片主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)備,例如路由�、交換機(jī)�,用于緩存臨�(shí)�(shù)�(jù)以提升傳輸效��
2. 嵌入式系�(tǒng)中作為主處理器的外部存儲(chǔ)器擴(kuò)展,提供充足的運(yùn)行空��
3. 工業(yè)自動(dòng)化控制器,用于實(shí)�(shí)�(shù)�(jù)采集與處��
4. �(yī)療儀器和其他需要大容量、高性能存儲(chǔ)解決方案的設(shè)��
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)�,如�(shù)字電�、機(jī)頂盒�,用于提高用戶體�(yàn)和流暢度�
IS43TR16640C-25BLLI,5DBLI