K4S561632E-TC75 是一款由三星(Samsung)生�(chǎn)� DDR3L SDRAM 芯片,采� 75 � FBGA 封裝。該芯片具有低功耗特性,適合�(yīng)用于移動�(shè)�、嵌入式系統(tǒng)以及其他對功耗敏感的場景�
DDR3L � DDR3 的低電壓版本,工作電壓為 1.35V,相較于�(biāo)�(zhǔn) DDR3 � 1.5V 更加節(jié)�。K4S561632E-TC75 提供了高帶寬和快速的�(shù)�(jù)傳輸能力,滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對性能的需��
容量�4Gb
組織方式�16M x 16
位寬�16�
核心電壓(Vcc)�1.35V
I/O 電壓(Vccq)�1.35V
�(shù)�(jù)速率�800Mbps, 1066Mbps, 1333Mbps, 1600Mbps
封裝類型:FBGA 75�
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
引腳間距�1mm
封裝尺寸�9mm x 10mm
K4S561632E-TC75 具有以下主要特性:
1. 支持 DDR3L �(biāo)�(zhǔn),兼� JEDEC �(guī)��
2. 提供高達(dá) 1600Mbps 的數(shù)�(jù)傳輸速率,能夠滿足高性能�(yīng)用的需��
3. 工作電壓� 1.35V,有效降低功耗�
4. �(nèi)� DLL(延遲鎖定環(huán)路),用于精確控制時��
5. 支持突發(fā)長度� 4 � 8 的數(shù)�(jù)傳輸模式�
6. 提供多種 CAS 延遲�(shè)置選�(xiàng),可根據(jù)具體需求優(yōu)化性能�
7. 支持 On-Die Termination (ODT),以改善信號完整��
8. 自動刷新和自檢功�,簡化系�(tǒng)�(shè)�(jì)�
9. 小型化的 FBGA 封裝,節(jié)� PCB 空間�
10. 廣泛的工作溫度范�,適�(yīng)多種�(huán)境條件�
K4S561632E-TC75 可廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 移動�(shè)�,如智能手機(jī)和平板電��
2. 嵌入式系�(tǒng),例如工�(yè)自動化設(shè)�、醫(yī)療儀器等�
3. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)�,包括路由器、交換機(jī)��
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品,例如�(shù)字電�、機(jī)頂盒等�
5. 便攜式游戲設(shè)備及其他便攜式電子裝��
由于其低功耗和高帶寬的特點(diǎn),K4S561632E-TC75 成為需要高效能同時兼顧低能耗的�(yīng)用的理想選擇�
K4B2G164QF-BCN75, K4B4G164QH-DCK0, MT4G8B128HZ-083E