IS42S32200L-6TL 是一款由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生�(chǎn)� 32Mbit 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM�。該芯片采用 CMOS 工藝制造,具備低功耗和高速性能特點(diǎn)。其容量� 4M x 8�2M x 16 � 1M x 32 的組織形式,廣泛適用于需要高性能和低延遲的數(shù)�(jù)存儲(chǔ)�(chǎng)��
該型�(hào)支持工業(yè)�(jí)溫度范圍�-40°C � +85°C�,并� TSOP II 封裝提供,適合嵌入式系統(tǒng)、網(wǎng)�(luò)�(shè)備及通信�(lǐng)域�
容量�32Mbit
工作電壓�1.8V ± 0.1V
�(shù)�(jù)寬度�8/16/32 位可�
訪問(wèn)�(shí)間:6ns
封裝類型:TSOP II 44 引腳
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
刷新方式:無(wú)需刷新
引腳間距�0.5mm
IS42S32200L-6TL 屬于 ISSI 系列的同� SRAM 芯片,具有以下顯著特�(diǎn)�
1. 高速性能�6ns 的訪�(wèn)�(shí)間確保了快速的�(shù)�(jù)傳輸能力,適用于�(shí)�(shí)處理�(yīng)��
2. 多種�(shù)�(jù)寬度選項(xiàng):支� 8 ��16 位和 32 位數(shù)�(jù)總線配置,靈活適�(yīng)不同硬件平臺(tái)需��
3. 低功耗設(shè)�(jì):在保持高性能的同�(shí)�(yōu)化了能源消�,非常適合對(duì)能效要求較高的系�(tǒng)�
4. 工業(yè)�(jí)溫度范圍:能夠穩(wěn)定運(yùn)行在 -40°C � +85°C 的環(huán)境溫度下,適用于惡劣條件下的�(yīng)��
5. 不需外部刷新電路:由� SRAM 的特�,此芯片不需要復(fù)雜的 DRAM 刷新�(jī)�,簡(jiǎn)化了系統(tǒng)�(shè)�(jì)�
IS42S32200L-6TL 主要�(yīng)用于需要大容量、低延遲�(nèi)存的�(chǎng)�,例如:
1. 嵌入式系�(tǒng)中的緩存或緩沖區(qū)�
2. 通信�(shè)備如路由�、交換機(jī)等中的數(shù)�(jù)包暫��
3. 圖像處理�(shè)備中的幀緩存功能�
4. 工業(yè)控制系統(tǒng)的臨�(shí)�(shù)�(jù)存儲(chǔ)�
5. �(yī)療設(shè)備中�(guān)鍵數(shù)�(jù)的高速讀�(xiě)操作�
這些�(yīng)用場(chǎng)景充分利用了該芯片的高可靠性、快速訪�(wèn)�(shí)間和靈活配置的特�(diǎn)�
IS42S32200L-7TL
IS42S32200J-6TL
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