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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IS42S32200L-6TL

IS42S32200L-6TL 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/16 12:28:41 查看 閱讀�23

IS42S32200L-6TL 是一款由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生�(chǎn)� 32Mbit 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM�。該芯片采用 CMOS 工藝制造,具備低功耗和高速性能特點(diǎn)。其容量� 4M x 8�2M x 16 � 1M x 32 的組織形式,廣泛適用于需要高性能和低延遲的數(shù)�(jù)存儲(chǔ)�(chǎng)��
  該型�(hào)支持工業(yè)�(jí)溫度范圍�-40°C � +85°C�,并� TSOP II 封裝提供,適合嵌入式系統(tǒng)、網(wǎng)�(luò)�(shè)備及通信�(lǐng)域�

參數(shù)

容量�32Mbit
  工作電壓�1.8V ± 0.1V
  �(shù)�(jù)寬度�8/16/32 位可�
  訪問(wèn)�(shí)間:6ns
  封裝類型:TSOP II 44 引腳
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  刷新方式:無(wú)需刷新
  引腳間距�0.5mm

特�

IS42S32200L-6TL 屬于 ISSI 系列的同� SRAM 芯片,具有以下顯著特�(diǎn)�
  1. 高速性能�6ns 的訪�(wèn)�(shí)間確保了快速的�(shù)�(jù)傳輸能力,適用于�(shí)�(shí)處理�(yīng)��
  2. 多種�(shù)�(jù)寬度選項(xiàng):支� 8 ��16 位和 32 位數(shù)�(jù)總線配置,靈活適�(yīng)不同硬件平臺(tái)需��
  3. 低功耗設(shè)�(jì):在保持高性能的同�(shí)�(yōu)化了能源消�,非常適合對(duì)能效要求較高的系�(tǒng)�
  4. 工業(yè)�(jí)溫度范圍:能夠穩(wěn)定運(yùn)行在 -40°C � +85°C 的環(huán)境溫度下,適用于惡劣條件下的�(yīng)��
  5. 不需外部刷新電路:由� SRAM 的特�,此芯片不需要復(fù)雜的 DRAM 刷新�(jī)�,簡(jiǎn)化了系統(tǒng)�(shè)�(jì)�

�(yīng)�

IS42S32200L-6TL 主要�(yīng)用于需要大容量、低延遲�(nèi)存的�(chǎng)�,例如:
  1. 嵌入式系�(tǒng)中的緩存或緩沖區(qū)�
  2. 通信�(shè)備如路由�、交換機(jī)等中的數(shù)�(jù)包暫��
  3. 圖像處理�(shè)備中的幀緩存功能�
  4. 工業(yè)控制系統(tǒng)的臨�(shí)�(shù)�(jù)存儲(chǔ)�
  5. �(yī)療設(shè)備中�(guān)鍵數(shù)�(jù)的高速讀�(xiě)操作�
  這些�(yīng)用場(chǎng)景充分利用了該芯片的高可靠性、快速訪�(wèn)�(shí)間和靈活配置的特�(diǎn)�

替代型號(hào)

IS42S32200L-7TL
  IS42S32200J-6TL
  IS42S32200J-7TL

is42s32200l-6tl推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

is42s32200l-6tl參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�324 : �24.26682托盤(pán)
  • 系列-
  • 包裝托盤(pán)
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 存儲(chǔ)器類�易失
  • 存儲(chǔ)器格�DRAM
  • 技�(shù)SDRAM
  • 存儲(chǔ)容量64Mbit
  • 存儲(chǔ)器組�2M x 32
  • 存儲(chǔ)器接�并聯(lián)
  • �(shí)鐘頻�166 MHz
  • �(xiě)周期�(shí)� - 字,�(yè)-
  • 訪問(wèn)�(shí)�5.4 ns
  • 電壓 - 供電3V ~ 3.6V
  • 工作溫度0°C ~ 70°C(TA�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼86-TFSOP�0.400"�10.16mm 寬)
  • 供應(yīng)商器件封�86-TSOP II