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IRLR3717TRPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/3/8 11:13:15 查看 閱讀�612

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列:HEXFET?

    


目錄

概述

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列:HEXFET?

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點(diǎn):邏輯電平門

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�4 毫歐 @ 15A, 10V

    漏極至源極電�(Vdss)�20V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�120A

    Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�2.45V @ 250μA

    閘電�(Qg) @ Vgs�31nC @ 4.5V

    � Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �2830pF @ 10V

    功率 - 最大:89W

    安裝類型:表面貼�

    封裝/外殼:DPak, SC-63,TO-252(2 引線+接片)

    包裝:帶� (TR)

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D-Pak


資料

廠商
Infineon Technologies

irlr3717trpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irlr3717trpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝6,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C120A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4 毫歐 @ 15A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.45V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs31nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2830pF @ 10V
  • 功率 - 最�89W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)