L2N7002EM3T5G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的增�(qiáng)型功率晶體管,由一家領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商生產(chǎn)。該器件采用常關(guān)型設(shè)�(jì),適用于高頻、高效率的電力電子應(yīng)�。L2N7002EM3T5G 的工作電壓高�(dá) 700V,導(dǎo)通電阻低� 2.1 毫歐(典型值),能夠在高頻開關(guān)條件下提供卓越的性能�
這款 GaN 器件通過�(yōu)化的封裝和內(nèi)部結(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),實(shí)�(xiàn)了更小的寄生電感和更高的散熱效率,同�(shí)具備快速開�(guān)速度和較低的開關(guān)損耗,非常適合 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)用場(chǎng)��
最大漏源電壓:700V
連續(xù)漏極電流�2A
�(dǎo)通電阻(典型值)�2.1mΩ
柵極電荷�45nC
開關(guān)頻率:最高支� MHz �(jí)
工作溫度范圍�-55� � +150�
封裝形式:TO-263-7
L2N7002EM3T5G 具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 高耐壓能力:能夠承受高�(dá) 700V 的漏源電�,適合高壓應(yīng)用場(chǎng)景�
2. 極低的導(dǎo)通電阻:2.1 毫歐� Rds(on) 可以有效降低�(dǎo)通損�,提升系�(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)性能:得益于 GaN 材料的獨(dú)特優(yōu)�(shì),其開關(guān)速度�(yuǎn)高于傳統(tǒng)硅基 MOSFET,從而減少開�(guān)損��
4. 更高的工作溫度范圍:� -55� � +150� 的寬溫區(qū)確保了器件在極端�(huán)境下的可靠��
5. 小尺寸封裝:TO-263-7 封裝形式不僅節(jié)� PCB 空間,還具有良好的熱管理性能�
6. �(nèi)置保�(hù)功能:部分版本可能集成了過流保護(hù)和短路保�(hù)�(jī)�,�(jìn)一步提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定��
L2N7002EM3T5G 廣泛�(yīng)用于需要高效能和高頻操作的�(chǎng)景中,具體包括:
1. 開關(guān)電源 (SMPS):如 AC-DC �(zhuǎn)換器、適配器��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于工�(yè)控制中的高效電機(jī)�(qū)�(dòng)電路�
3. 太陽能逆變器:在光伏系�(tǒng)中實(shí)�(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)��
4. 無線充電�(shè)備:支持更高頻率和更低損耗的無線充電模塊�
5. �(shù)�(jù)中心電源:為服務(wù)器和�(wǎng)�(luò)�(shè)備提供高效率的供電方��
6. 汽車電子:可用于車載充電器和其他汽車相關(guān)�(yīng)用中�
L2N7002EM3T3G, L2N6502EM3T5G