IRLMS1503TR是英飛凌(Infineon)公司生�(chǎn)的MOSFET功率晶體�。該器件采用邏輯電平�(qū)�(dòng)�(shè)�(jì),適用于低電壓應(yīng)用場(chǎng)合,具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度。它主要�(yīng)用于直流電機(jī)�(qū)�(dòng)、電池供電設(shè)�、負(fù)載開(kāi)�(guān)以及消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品的電源管理�(lǐng)��
該器件采用了SO-8封裝形式,能夠有效降低熱阻并提高散熱性能,同�(shí)具備良好的電氣特性和可靠性�
型號(hào):IRLMS1503TR
封裝:SO-8
VDS(漏源極耐壓):30V
RDS(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�2.6mΩ
IDS(連續(xù)漏極電流):78A
VGS(th)(柵極閾值電壓)�1.2V
輸入電容Ciss�980pF
總柵極電荷Qg�11nC
工作溫度范圍�-55� to +175�
IRLMS1503TR是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET,其特點(diǎn)是低�(dǎo)通電阻和高效�。在低電壓應(yīng)用中表現(xiàn)出色,尤其是�(dāng)�(qū)�(dòng)電壓較低�(shí),仍能保持較小的�(dǎo)通損��
該器件支持非常低的柵極開(kāi)啟電�,使得其非常適合由單節(jié)鋰電池供電的�(yīng)用場(chǎng)�。此�,它的快速開(kāi)�(guān)能力可以減少�(kāi)�(guān)損�,并有助于提高整體系�(tǒng)效率�
由于采用了SO-8封裝,該器件擁有較好的散熱性能,適合用于對(duì)空間有限制的�(shè)�(jì)中。同�(shí),該器件還具有較高的雪崩擊穿能力和抗靜電能力,增�(qiáng)了系�(tǒng)的可靠性和耐用��
其超低的�(dǎo)通電阻允許大電流通過(guò)而不�(huì)�(chǎn)生過(guò)多熱�,從而延�(zhǎng)了器件的使用壽命。此�,由于其�(yōu)秀的電氣性能,它可以�(jiǎn)化電路設(shè)�(jì)并減少外部元件的�(shù)��
IRLMS1503TR廣泛�(yīng)用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的場(chǎng)�。例�,在消費(fèi)電子�(chǎn)品中可用作負(fù)載開(kāi)�(guān)或DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流�;在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域可作為小型電機(jī)控制器的一部分;在汽車(chē)電子系統(tǒng)�(nèi)則可用于電池保護(hù)及配電管理等任務(wù)�
具體�(yīng)用場(chǎng)景包括但不限于以下方面:
- 筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備中的電源管�
- 電動(dòng)工具與家用電器中的直流無(wú)刷電�(jī)�(qū)�(dòng)
- LED照明�(diào)光和恒流控制
- �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的功率�(kāi)�(guān)
- 各種�(lèi)型的�(fù)載切換和保護(hù)電路
- �(shù)�(jù)通信�(shè)備中的信�(hào)�(diào)理與接口�(qū)�(dòng)
這些�(yīng)用都得益于該器件出色的效率表�(xiàn)以及緊湊的外形尺寸�
IRLZ44N
AO3400A
FDP5802
SI2302DS