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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NTH4L025N065SC1

NTH4L025N065SC1 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 11:01:47 查看 閱讀�26

NTH4L025N065SC1 是一款由 Nexperia(原飛利浦半�(dǎo)體)生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 DPAK 封裝,具有低�(dǎo)通電� (RDS(on電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)等場(chǎng)�。它能夠承受高達(dá) 650V 的漏源極電壓,并且支持大電流連續(xù)工作�
  該型�(hào)�(shè)�(jì)用于在高頻和高壓條件下提供出色的性能表現(xiàn),同�(shí)其緊湊的封裝形式也使得它非常適合空間受限的應(yīng)用環(huán)��

參數(shù)

最大漏源電壓:650 V
  最大柵源電壓:±20 V
  連續(xù)漏極電流�25 A
  �(dǎo)通電� (RDS(on))�70 mΩ @ VGS=10V
  總功耗:180 W
  �(jié)溫范圍:-55� � +175�
  封裝形式:DPAK (TO-263)

特�

NTH4L025N065SC1 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� RDS(on),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體效率�
  2. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒��
  3. 快速開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)��
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)可靠�(yùn)��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
  6. 提供�(yōu)異的 EMI 性能,減少對(duì)外部電路的干��
  7. �(nèi)置保�(hù)�(jī)�,如�(guò)流保�(hù)和短路耐受能力,確保系�(tǒng)安全�(yùn)��

�(yīng)�

NTH4L025N065SC1 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的主開�(guān)管或同步整流管�
  2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
  4. 太陽(yáng)能逆變器和 DC/DC �(zhuǎn)換器�
  5. LED 照明系統(tǒng)的恒流控制�
  6. 各種類型的電池充電器和保�(hù)電路�
  7. 汽車電子中需要高可靠性與高效能的�(chǎng)合�

替代型號(hào)

NTH4L018N065SC1, IRF540N, STP36NF06L

nth4l025n065sc1推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

nth4l025n065sc1參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �179.59000管件
  • 系列-
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)SiCFET(碳化硅�
  • 漏源電壓(Vdss�650 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)99A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�15V�18V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)28.5 毫歐 @ 45A�18V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)4.3V @ 15.5mA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)164 nC @ 18 V
  • Vgs(最大值)+22V�-8V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)3480 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)348W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 供應(yīng)商器件封�TO-247-4L
  • 封裝/外殼TO-247-4