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IRLI640GPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/3/6 16:21:14 查看 閱讀�638

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列�-



目錄

概述

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列�-

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點(diǎn):邏輯電平門

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�180 毫歐 @ 5.9A, 5V

    漏極至源極電�(Vdss)�200V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�9.9A

    Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�2V @ 250μA

    閘電�(Qg) @ Vgs�66nC @ 10V

    � Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �1800pF @ 25V

    功率 - 最大:40W

    安裝類型:通孔

    封裝/外殼:TO-220-3 全封裝(直引線,隔離式),ITO-220AB

    包裝:管�

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:*

    其它名稱�*IRLI640GPBF


資料

廠商
VISHAY
Vishay Semiconductors

irli640gpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

irli640gpbf資料 更多>

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irli640gpbf參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IRLI640GPBF
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C9.9A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C180 毫歐 @ 5.9A�5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs66nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1800pF @ 25V
  • 功率 - 最�40W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3 全封�,隔離接�
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220-3
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRLI640GPBF