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GA1206Y122MXXBR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/30 22:14:17 查看 閱讀:5

GA1206Y122MXXBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,專為高效率開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該芯片采用了先進(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特性,適合應(yīng)用于電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動以及負(fù)載開關(guān)等場景。
  該器件屬于 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET,其封裝形式和引腳布局經(jīng)過優(yōu)化,能夠有效降低寄生電感,從而提高整體系統(tǒng)的性能和可靠性。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:15A
  導(dǎo)通電阻:2.2mΩ
  柵極電荷:45nC
  開關(guān)速度:典型值 12ns
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1206Y122MXXBR31G 具有以下主要特點(diǎn):
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),可顯著降低傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率。
  2. 快速的開關(guān)速度和低柵極電荷,有助于減少開關(guān)損耗。
  3. 高溫穩(wěn)定性,能夠在極端環(huán)境條件下保持優(yōu)異的性能。
  4. 小型化封裝設(shè)計(jì),節(jié)省 PCB 布局空間。
  5. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)功能,增強(qiáng)了芯片的抗靜電能力。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無鉛材料。

應(yīng)用

這款功率 MOSFET 主要適用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的主開關(guān)或同步整流元件。
  2. 電動工具、家用電器及工業(yè)設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動電路。
  3. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
  4. LED 照明驅(qū)動器中的功率級控制。
  5. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的大電流開關(guān)。
  由于其高效的特性和穩(wěn)健的設(shè)計(jì),該芯片非常適合對能量密度和熱管理要求較高的應(yīng)用場景。

替代型號

IRFZ44N, FDP5800, AO3400

ga1206y122mxxbr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容1200 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長 x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-