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IRLB3813PBF 發(fā)布時間 時間�2023/3/6 16:26:23 查看 閱讀�312

    類別:分離式半導體產�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列:HEXFET?

 


目錄

概述

    類別:分離式半導體產�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列:HEXFET?

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點:邏輯電平門

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�1.95 毫歐 @ 60A, 10V

    漏極至源極電�(Vdss)�30V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�260A

    Id 時的 Vgs(th)(最大)�2.35V @ 150μA

    閘電�(Qg) @ Vgs�86nC @ 4.5V

    � Vds 時的輸入電容(Ciss) �8420pF @ 15V

    功率 - 最大:230W

    安裝類型:通孔

    封裝/外殼:TO-220-3 (直引�)

    包裝:管�

    供應商設備封裝:TO-220AB


資料

廠商
Infineon Technologies

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irlb3813pbf參數

  • 特色產品30V MOSFET Family
  • 標準包裝50
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C260A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.95 毫歐 @ 60A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.35V @ 150µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs86nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds8420pF @ 15V
  • 功率 - 最�230W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應商設備封�TO-220AB
  • 包裝管件