日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好,歡迎來(lái)到維�(kù)電子市場(chǎng)�(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)

您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > FDP86363-F085

FDP86363-F085 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 10:44:45 查看 閱讀�8

FDP86363-F085 是一款由 Fairchild(現(xiàn)� ON Semiconductor)推出的高性能 N 沃林頓功� MOSFET。該器件采用先�(jìn)的制造工�,專(zhuān)為高效率和低�(dǎo)通電阻應(yīng)用設(shè)�(jì),適用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器等領(lǐng)域�
  這款 MOSFET 具有極低的導(dǎo)通電阻和�(yōu)化的�(kāi)�(guān)性能,能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)的整體效率。其封裝形式� PAK85 封裝,適合高密度布局�(shè)�(jì)�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�160A
  �(dǎo)通電阻:1.2mΩ
  柵極電荷�95nC
  總電容:475pF
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:典型� 80ns
  工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C

特�

FDP86363-F085 的主要特�(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在典型條件下僅� 1.2mΩ,從而大幅降低了�(dǎo)通損��
  此外,該器件具有較低的柵極電荷和輸出電容,有助于�(shí)�(xiàn)快速開(kāi)�(guān)和更高的工作效率�
  它還具備出色的熱性能和可靠�,能夠在極端溫度條件下穩(wěn)定運(yùn)行,非常適合�(duì)效率和散熱要求較高的�(yīng)用場(chǎng)��
  � PAK85 封裝支持高效的熱量傳�(dǎo),并且易于焊接和安裝,�(jìn)一步提升了其應(yīng)用靈活��

�(yīng)�

FDP86363-F085 廣泛�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和處理大電流的�(chǎng)景中,例如:
  - �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS)
  - 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制
  - DC-DC �(zhuǎn)換器
  - 逆變器和 UPS 系統(tǒng)
  - 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切�
  - 高電流電池管理及保護(hù)電路

替代型號(hào)

FDP86363P-F085, FDP86363-F065

fdp86363-f085推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fdp86363-f085參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�183�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �27.90000管件
  • 系列Automotive, AEC-Q101, PowerTrench?
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)最后售�(mài)
  • FET �(lèi)�N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�80 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)110A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)2.8 毫歐 @ 80A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)150 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)10000 pF @ 40 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)300W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝�(lèi)�通孔
  • 供應(yīng)商器件封�TO-220-3
  • 封裝/外殼TO-220-3