IRG4PH50SPBF是英飛凌(Infineon)推出的一款N溝道功率MOSFET,采用TO-263封裝形式。該器件廣泛應用于開關電�、電機驅(qū)動、逆變器和DC-DC�(zhuǎn)換器等場景中。它具有低導通電阻和高效率的特點,能夠滿足多種功率電子設計需��
該芯片通過�(yōu)化的柵極電荷設計,可以實�(xiàn)快速開關,并且其較低的反向恢復電荷使其非常適合高頻應用。此外,該器件還具備出色的熱性能和電氣穩(wěn)定��
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�19A
導通電阻(典型�,在Vgs=10V時)�7.5mΩ
柵極電荷(Qg):28nC
反向恢復時間(trr):35ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�
IRG4PH50SPBF的主要特性包括:
1. 超低導通電阻,有效降低功率損��
2. 快速開關速度,支持高頻操��
3. 熱穩(wěn)定性好,適用于高溫�(huán)��
4. 高浪涌能力,確保在惡劣條件下的可靠��
5. 小型化TO-263封裝,節(jié)省PCB空間并簡化散熱設��
6. 符合RoHS標準,綠色環(huán)��
這些特性使IRG4PH50SPBF成為高性能功率�(zhuǎn)換電路的理想選擇�
IRG4PH50SPBF適合用于以下領域�
1. 開關模式電源(SMPS�
2. 電機控制和驅(qū)�
3. 通信設備中的電源模塊
4. 工業(yè)自動化系�(tǒng)
5. 太陽能逆變器及儲能系統(tǒng)
6. DC-DC�(zhuǎn)換器
憑借其卓越的電氣性能和可靠性,該器件能夠在各種復雜�(huán)境中提供�(wěn)定高效的解決方案�
IRL3704S, FDP5800