�(lèi)別:分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列:HEXFET?
�(lèi)別:分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列:HEXFET?
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
�(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�9 毫歐 @ 58A, 10V
漏極至源極電�(Vdss)�100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�97A
Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�4V @ 150μA
閘電�(Qg) @ Vgs�120nC @ 10V
� Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �4820pF @ 50V
功率 - 最大:230W
安裝�(lèi)型:通孔
封裝/外殼:TO-262-3(直引線�
包裝:管�
供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-262
廠商 |
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Infineon Technologies |