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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IRFS9N60ATRLPBF

IRFS9N60ATRLPBF 發(fā)布時間 時間�2023/3/7 14:23:43 查看 閱讀�454

    類別:分離式半導體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列�-


    


目錄

概述

    類別:分離式半導體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列�-

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點:標準型

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�750 毫歐 @ 5.5A, 10V

    漏極至源極電�(Vdss)�600V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�9.2A

    Id 時的 Vgs(th)(最大)�4V @ 250μA

    閘電�(Qg) @ Vgs�49nC @ 10V

    � Vds 時的輸入電容(Ciss) �1400pF @ 25V

    功率 - 最大:170W

    安裝類型:表面貼�

    封裝/外殼:D2Pak,TO-263�2 引線 + 接片�

    包裝:帶� (TR)

    供應商設備封裝:*


資料

廠商
VISHAY
Vishay Semiconductors

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  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
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  • 廠商
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irfs9n60atrlpbf參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IRFS9N60APBF
  • 標準包裝800
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C9.2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C750 毫歐 @ 5.5A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs49nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1400pF @ 25V
  • 功率 - 最�170W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片�,TO-263AB
  • 供應商設備封�D2PAK
  • 包裝帶卷 (TR)