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IRFR5505TRPBF 發(fā)布時間 時間�2024/6/6 15:35:37 查看 閱讀�336

IRFR5505TRPBF是一款N溝道MOSFET功率晶體�,由國際整流器(IR)公司生甀該晶體管具有低導通電阻和高開關速度,適用于高速開關應��
  IRFR5505TRPBF采用TO-252(DPAK)封�,尺寸小巧,適合在空間受限的應用中使�。它的最大漏極電壓為55V,最大漏極電流為46A,最大功率耗散�110W。這使得它能夠處理較高的功率和電流,適用于許多不同的應用領域�
  該晶體管的低導通電阻和高開關速度使其在功率轉換和開關電源應用中表�(xiàn)出色。它具有良好的熱特�,能夠在高溫�(huán)境下工作。此�,它還具有良好的抗靜電能力和耐壓能力,能夠在各種惡劣的工作環(huán)境中�(wěn)定工��
  IRFR5505TRPBF還具有低輸入和輸出電�,可以提高系�(tǒng)的效率和響應速度。它的設計使得它能夠快速開關,減少能量損�,并提高系統(tǒng)的性能�

參數(shù)和指�

最大漏極電壓(Vds):55V
  最大漏極電流(Id):46A
  最大功率耗散(Pd):110W
  導通電阻(Rds(on)):0.022Ω
  輸入電容(Ciss):1900pF
  輸出電容(Coss):250pF
  反饋電容(Crss):120pF

組成結構

IRFR5505TRPBF采用TO-252(DPAK)封裝,尺寸�6.63mm x 9.02mm x 2.29mm。晶體管內部由多層金屬和半導體材料組�,包括N溝道MOSFET結構、柵�、漏極和源極�

工作原理

N溝道MOSFET是一種場效應晶體�,由三個區(qū)域組成:柵極、漏極和源極。當柵極電壓高于閾值電壓時,柵極和源極之間形成負偏壓,導致溝道中形成正負電�,形成導電通道。當柵極電壓低于閾值電壓時,導電通道關閉�

技術要�

低導通電阻:IRFR5505TRPBF具有低導通電�,可以減少功率損耗和熱量產生�
  高開關速度:該晶體管具有高開關速度,可以實�(xiàn)快速開關,提高系統(tǒng)的效率和響應速度�
  良好的熱特性:IRFR5505TRPBF能夠在高溫環(huán)境下工作,并具有良好的散熱能��
  抗靜電能力和耐壓能力:該晶體管具有良好的抗靜電能力和耐壓能力,適用于惡劣的工作環(huán)境�

設計流程

確定應用場景和要��
  選擇合適的晶體管型號,如IRFR5505TRPBF�
  根據(jù)電路需求設計電路圖和PCB布局�
  進行電路仿真和性能評估�
  制作樣品并進行實驗驗證�
  進行系統(tǒng)集成和測��
  進行量產和質量控制�

注意事項

在使用IRFR5505TRPBF�,需注意最大漏極電壓、漏極電流和功率耗散等參�(shù),以確保不超過其額定范圍�
  要注意晶體管的散�,避免過熱引起損壞�
  在設計和布局�,要考慮到晶體管的輸入和輸出電容,以充分利用其高速開關特性�

irfr5505trpbf推薦供應� 更多>

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irfr5505trpbf參數(shù)

  • 標準包裝2,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)55V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C18A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C110 毫歐 @ 9.6A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs32nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds650pF @ 25V
  • 功率 - 最�57W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應商設備封�D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRFR5505PBFTRIRFR5505TRPBF-NDIRFR5505TRPBFTR-ND