GA0603H122JBAAT31G 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生產(chǎn)的高壓 MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高功率開(kāi)關(guān)場(chǎng)景。該器件采用 N 溝道技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和高耐壓能力,廣泛適用于工業(yè)控制、電源轉(zhuǎn)換以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。
這款芯片基于先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,優(yōu)化了靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能參數(shù),能夠有效降低系統(tǒng)功耗并提高整體效率。其封裝形式為 TO-247-3,確保了良好的散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定性。
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流:18A
導(dǎo)通電阻:0.12Ω
柵極電荷:90nC
輸入電容:1250pF
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
封裝形式:TO-247-3
GA0603H122JBAAT31G 具有以下顯著特點(diǎn):
1. 高擊穿電壓:可承受高達(dá) 650V 的漏源電壓,適用于高電壓應(yīng)用場(chǎng)景。
2. 低導(dǎo)通電阻:在大電流條件下減少了功率損耗,提升了系統(tǒng)效率。
3. 快速開(kāi)關(guān)能力:通過(guò)優(yōu)化的柵極設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)較低的柵極電荷,從而加快開(kāi)關(guān)速度并減少開(kāi)關(guān)損耗。
4. 寬溫范圍支持:能夠在極端溫度環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行,適合工業(yè)級(jí)和汽車級(jí)應(yīng)用。
5. 穩(wěn)定的電氣性能:在不同負(fù)載和溫度條件下保持一致的性能表現(xiàn)。
該芯片適用于多種高功率電子設(shè)備,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS):用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 AC-DC 整流電路中,提供高效的功率傳輸。
2. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng):作為功率級(jí)開(kāi)關(guān)元件,實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)的精確控制。
3. 太陽(yáng)能逆變器:在光伏能源系統(tǒng)中起到關(guān)鍵的功率調(diào)節(jié)作用。
4. UPS 不間斷電源:確保在主電源中斷時(shí)快速切換至備用電源模式。
5. 電動(dòng)汽車牽引逆變器:助力電動(dòng)車動(dòng)力系統(tǒng)的高效能量管理。
FCH069N65S,
IRFP460,
STP18N65,
IXFN100N65T2