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IRFH5015TRPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 9:14:17 查看 閱讀�22

IRFH5015TRPBF是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的MOSFET功率晶體�。該器件采用了先�(jìn)的制程技�(shù),具備低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適用于多種電源管理�(yīng)�,如DC-DC�(zhuǎn)換器、開(kāi)�(guān)電源以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等。其封裝形式為PQFN3333-20L,具有出色的散熱性能和緊湊的�(shè)�(jì),適合現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高效能的需��
  該MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型器件,通過(guò)柵極施加正電壓來(lái)�(kāi)啟導(dǎo)通路�。其典型�(yīng)用場(chǎng)景包括筆記本電腦適配�、電信系�(tǒng)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)和電池保�(hù)電路��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�68A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�0.8mΩ
  柵極電荷(典型值)�19nC
  �(kāi)�(guān)速度:非?�?br>  工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�

特�

IRFH5015TRPBF的主要特性如下:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可顯著降低傳導(dǎo)損耗并提升效率�
  2. 高電流處理能�,能夠支持高�(dá)68A的連續(xù)漏極電流�
  3. 快速開(kāi)�(guān)性能,得益于較小的柵極電荷和輸出電荷,使得其在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
  4. 緊湊的PQFN3333-20L封裝�(shè)�(jì),有助于減少PCB空間占用并改善熱管理�
  5. 廣泛的工作溫度范圍,適應(yīng)各種惡劣�(huán)境條��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(mǎn)足現(xiàn)代工�(yè)�(guī)范要��

�(yīng)�

該器件廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)設(shè)�(jì)中的同步整流�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的高端或低端開(kāi)�(guān)�
  3. 電動(dòng)工具及消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
  4. 電池管理系統(tǒng)中的保護(hù)和負(fù)載切��
  5. 通信基礎(chǔ)�(shè)施中的電源模��
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源控制單��

替代型號(hào)

IRFH5014TRPBF, IRFH5016TRPBF

irfh5015trpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

irfh5015trpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)150V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C10A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C31 毫歐 @ 34A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)5V @ 150µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs50nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2300pF @ 50V
  • 功率 - 最�3.6W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼8-VQFN
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PQFN�5x6)單芯片焊盤(pán)
  • 包裝帶卷 (TR)