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IRFD9010PBF 發(fā)布時間 時間�2023/3/7 16:55:36 查看 閱讀�586

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列:HEXFET?


目錄

概述

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列:HEXFET?

    FET 型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

    FET 特點:標(biāo)�(zhǔn)�

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�500 毫歐 @ 580mA, 10V

    漏極至源極電�(Vdss)�50V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�1.1A

    Id 時的 Vgs(th)(最大)�4V @ 250μA

    閘電�(Qg) @ Vgs�11nC @ 10V

    � Vds 時的輸入電容(Ciss) �240pF @ 25V

    功率 - 最大:1W

    安裝類型:通孔

    封裝/外殼�4-DIP (0.300", 7.62mm)

    包裝:管�

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-DIP,Hexdip,HVMDIP

    其它名稱�*IRFD9010PBF


資料

廠商
Vishay Semiconductors

irfd9010pbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

irfd9010pbf資料 更多>

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irfd9010pbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)50V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.1A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C500 毫歐 @ 580mA�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs11nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds240pF @ 25V
  • 功率 - 最�1W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼4-DIP�0.300"�7.62mm�
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�4-DIP,Hexdip,HVMDIP
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRFD9010PBF