類別:分離式半導體產�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列�-
類別:分離式半導體產�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列�-
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:標準型
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�1.1 歐姆 @ 380mA, 10V
漏極至源極電�(Vdss)�250V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�630mA
Id 時的 Vgs(th)(最大)�4V @ 250μA
閘電�(Qg) @ Vgs�14nC @ 10V
� Vds 時的輸入電容(Ciss) �260pF @ 25V
功率 - 最大:1W
安裝類型:通孔
封裝/外殼�4-DIP (0.300", 7.62mm)
包裝:管�
供應商設備封裝:4-DIP,Hexdip,HVMDIP
其它名稱�*IRFD224PBF
廠商 |
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VISHAY |