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IRFBF20STRR 發(fā)布時間 時間�2023/3/7 17:19:47 查看 閱讀�747

    類別:分離式半導體產�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列�-

  

目錄

概述

    類別:分離式半導體產�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列�-

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點:標準型

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�8 歐姆 @ 1A, 10V

    漏極至源極電�(Vdss)�900V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�1.7A

    Id 時的 Vgs(th)(最大)�4V @ 250μA

    閘電�(Qg) @ Vgs�38nC @ 10V

    � Vds 時的輸入電容(Ciss) �490pF @ 25V

    功率 - 最大:3.1W

    安裝類型:表面貼�

    封裝/外殼:D2Pak,TO-263�2 引線 + 接片�

    包裝:帶� (TR)

    供應商設備封裝:*


資料

廠商
VISHAY

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irfbf20strr參數

  • 數據列表IRFBF20S,L
  • 標準包裝800
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)900V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.7A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8 歐姆 @ 1A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs38nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds490pF @ 25V
  • 功率 - 最�3.1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片),TO-263AB
  • 供應商設備封�D2PAK
  • 包裝帶卷 (TR)