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IRFB38N20D 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 0:34:06 查看 閱讀�22

IRFB38N20D 是一款由英飛凌(Infineon)推出的 N 灃道 Mosfet,屬于邏輯電平驅(qū)�(dòng)型器件。該芯片采用 TO-252 封裝形式,適用于需要高效率和低�(dǎo)通損耗的�(yīng)用場(chǎng)�。由于其�(yōu)異的性能,IRFB38N20D 廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)��
  這款功率 MOSFET 的最大特�(diǎn)是具有較低的�(dǎo)通電� (Rds(on)) 和較高的工作電壓,能夠支� 200V 的最大漏源極電壓,同�(shí)在低柵極�(qū)�(dòng)電壓下也能實(shí)�(xiàn)高效的導(dǎo)通性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:200V
  最大連續(xù)漏電流:14.1A
  �(dǎo)通電阻:0.25Ω(在 Vgs=10V �(shí)�
  柵極閾值電壓:2V � 4V
  總功耗:97W
  封裝類型:TO-252

特�

IRFB38N20D 提供了多種優(yōu)越特�,使其成為許多電力電子應(yīng)用的理想選擇。首�,它具有較低的導(dǎo)通電�,這有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  其次,該 MOSFET 支持邏輯電平�(qū)�(dòng),這意味著它可以在較低的柵極驅(qū)�(dòng)電壓下正常工�,例如常見的 5V 或� 3.3V �(qū)�(dòng)信號(hào),從而簡(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì)�
  此外,IRFB38N20D 具有快速的開關(guān)速度,可以降低開�(guān)損耗并適合高頻�(yīng)�。最后,它的封裝形式緊湊且散熱性能良好,方便用戶集成到各種終端�(chǎn)品中�

�(yīng)�

IRFB38N20D 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控�
  4. 電池管理與保�(hù)電路
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率開�(guān)
  6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載切�

替代型號(hào)

IRFZ44N, FQP17N20

irfb38n20d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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