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RCD051N20TL 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/26 17:14:50 查看 閱讀：12

RCD051N20TL是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET，專為高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件采用TO-263封裝形式，具備較低的導(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)關(guān)速度，適用于多種功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。其額定電壓為200V，能夠承受較大的漏源極電壓，同時(shí)具有良好的熱穩(wěn)定性和可靠性。

參數(shù)

最大漏源電壓：200V
　　連續(xù)漏電流：5.1A
　　導(dǎo)通電阻：1.2Ω
　　柵極電荷：28nC
　　總電容：360pF
　　工作溫度范圍：-55℃至175℃

特性

RCD051N20TL具有較低的導(dǎo)通電阻，可以顯著降低功率損耗，從而提升系統(tǒng)效率。
　　該器件的快速開(kāi)關(guān)性能使其非常適合于高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器、逆變器以及其他功率電子應(yīng)用。
　　其采用的TO-263封裝形式有助于提高散熱性能，并且易于集成到各種電路設(shè)計(jì)中。
　　此外，該MOSFET還具備優(yōu)異的雪崩能力和環(huán)境下保持穩(wěn)定運(yùn)行。

應(yīng)用

該MOSFET廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源(SMPS)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器、LED照明驅(qū)動(dòng)以及工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備等領(lǐng)域。
　　在汽車電子領(lǐng)域，它也常用于電池管理系統(tǒng)(BMS)、車載充電器(OBC)等需要高可靠性的應(yīng)用中。
　　RCD051N20TL憑借其出色的性能，成為高頻功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇。

替代型號(hào)

RCD051N20TLD
　　RFP50N20
　　IRFZ44N

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rcd051n20tl參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格2,500 : ￥2.17032卷帶（TR）
  • 系列-
  • 包裝卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)不適用于新設(shè)計(jì)
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）200 V
  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)5A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）760 毫歐 @ 2.5A，10V
  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）5.25V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）8.3 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±30V
  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）330 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）850mW（Ta），20W（Tc）
  • 工作溫度150°C（TJ）
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝CPT3
  • 封裝/外殼TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63