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SI3410DV-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 15:09:39 查看 閱讀�23

SI3410DV-T1-GE3 是一款由 Silicon Labs 公司生產(chǎn)的低功耗、高性能� RS-485/RS-422 收發(fā)�。該芯片�(shè)�(jì)用于工業(yè)通信和樓宇自�(dòng)化等需要長(zhǎng)距離可靠�(shù)�(jù)傳輸?shù)�?yīng)用場(chǎng)景。它支持高達(dá) 20 Mbps 的數(shù)�(jù)速率,并具有�(qiáng)大的抗噪能力,使其非常適合在嘈雜的電氣環(huán)境中工作�
  SI3410DV-T1-GE3 還具備自�(dòng)方向控制功能,這可以簡(jiǎn)化系�(tǒng)�(shè)�(jì)并減少對(duì)外部組件的需�。此�,其低功耗特性使得它非常適用于對(duì)能耗敏感的電池供電�(shè)��

參數(shù)

電源電壓�2.7V � 5.5V
  工作溫度范圍�-40°C � +125°C
  最大數(shù)�(jù)速率�20 Mbps
  �(qū)�(dòng)器輸出電流:±16 mA(典型值)
  接收器輸入阻抗:�12 kΩ(典型值)
  待機(jī)功耗:<1 μA(典型值)
  封裝�(lèi)型:8 引腳 SOIC 封裝

特�

SI3410DV-T1-GE3 提供了多種關(guān)鍵特性以增強(qiáng)其性能和適用�。首�,它的低功耗模式能夠顯著延�(zhǎng)電池供電�(shè)備的工作�(shí)間,這對(duì)于遠(yuǎn)程監(jiān)控和�(wú)線傳感器�(wǎng)�(luò)至關(guān)重要�
  其次,芯片內(nèi)置的自動(dòng)方向控制功能免去了手�(dòng)切換�(fā)送和接收方向的復(fù)雜操作,同時(shí)減少了外部元件數(shù)�,從而降低了整體系統(tǒng)成本�
  此外,該收發(fā)器還提供了卓越的靜電放電(ESD)保�(hù),額定值為 ±有助于提高系�(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠��
  最�,其寬泛的電源電壓范圍和高耐溫能力�(jìn)一步擴(kuò)大了這款芯片在各種惡劣環(huán)境下的應(yīng)用潛力�

�(yīng)�

SI3410DV-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于需要可靠數(shù)�(jù)通信的場(chǎng)�,包括但不限于工�(yè)自動(dòng)化控制系�(tǒng)、樓宇管理系�(tǒng)、安防監(jiān)控設(shè)�、醫(yī)療儀器以及能源管理解決方��
  由于其支� RS-485 � RS-422 �(xié)�,該芯片非常適合�(gòu)建多�(diǎn)�(wǎng)�(luò),例如工廠車(chē)間中的分布式 I/O 系統(tǒng)或家庭自�(dòng)化中的智能照明控��
  此外,在諸如�(huán)境監(jiān)�(cè)站或野外�(shù)�(jù)采集裝置等低功耗需求場(chǎng)景中,這款收發(fā)器也表現(xiàn)�(yōu)��

替代型號(hào)

SI3411DV-T1-GE3
  SI3412DV-T1-GE3

si3410dv-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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si3410dv-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C8A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C19.5 毫歐 @ 5A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs33nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1295pF @ 15V
  • 功率 - 最�4.1W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSOP�0.065"�1.65mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�6-TSOP
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)SI3410DV-T1-GE3TR