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IRF7831TRPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 20:41:21 查看 閱讀�15

IRF7831TRPBF是一款由Infineon(英飛凌)生�(chǎn)的N溝道MOSFET功率晶體管,采用PowerTrench技�(shù)制造。該器件專為高效�、低損耗的�(yīng)用設(shè)�(jì),適用于消費(fèi)電子和工�(yè)�(shè)備中的開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)��
  IRF7831TRPBF屬于OptiMOS系列,具有極低的�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度,能夠顯著提高系�(tǒng)的整體效率并降低熱耗散。其封裝形式為TO-252(DPAK),支持表面貼裝工�,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和高效散熱�

參數(shù)

型號(hào):IRF7831TRPBF
  品牌:Infineon
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  VDS(漏源電壓)�40V
  RDS(on)(�(dǎo)通電�)�1.9mΩ(典型�,@ VGS=10V�
  ID(連續(xù)漏極電流)�52A
  PD(總功�)�115W
  f(max)(最大工作頻�)�2MHz
  封裝:TO-252(DPAK)
  �(jié)溫范圍:-55℃至+175�

特�

IRF7831TRPBF的主要特�(diǎn)是低�(dǎo)通電阻和高電流承載能�。其RDS(on)僅為1.9mΩ(在VGS=10V�(shí)),這使得它非常適合于需要高效率和低損耗的�(yīng)用環(huán)��
  此外,該器件具備出色的開�(guān)性能,擁有較低的柵極電荷(Qg)和輸出電�(Qoss),從而有助于減少開關(guān)損��
  得益于其TO-252封裝�(shè)�(jì),IRF7831TRPBF還提供了良好的熱管理和機(jī)械穩(wěn)定性,使其成為表面貼裝�(yīng)用的理想選擇�
  此產(chǎn)品符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),并且支持無(wú)鉛焊接工��

�(yīng)�

IRF7831TRPBF廣泛�(yīng)用于各種電力電子系統(tǒng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)的設(shè)�(jì),例如筆記本適配�、充電器以及分布式電源系�(tǒng)�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于汽車電子、通信�(shè)備和工業(yè)控制�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,涵蓋從小型�(fēng)扇到大型伺服系統(tǒng)的多種應(yīng)用場(chǎng)��
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控��
  5. 各類�(fù)載切換和保護(hù)電路�
  憑借其�(yōu)異的電氣特性和可靠�,IRF7831TRPBF成為眾多工程師首選的功率開關(guān)解決方案之一�

替代型號(hào)

IRF7832TRPBF, IRF7833TRPBF

irf7831trpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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irf7831trpbf資料 更多>

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irf7831trpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C21A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.6 毫歐 @ 20A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.35V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs60nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds6240pF @ 15V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SO
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRF7831PBFTR